电源电压范围：5V ~ 20V
　　输出电流能力：最高可达1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　传输延迟时间：典型值120ns
　　输出电压范围：VCC - 0.3V 至 GND
　　封装形式：8引脚SOP

BU9910KV具备多种保护功能，包括过热保护（OTP）、过流保护（OCP）和欠压锁定（UVLO），以确保在异常工作条件下器件不会损坏。芯片内部集成了自举电路，支持高侧MOSFET的驱动，简化了外部电路设计。
　　此外，BU9910KV的输入端兼容TTL和CMOS电平，使其能够与各种控制器（如微控制器、DSP等）直接连接，而无需额外的电平转换电路。其高速驱动能力可以有效减少MOSFET的开关时间，从而降低开关损耗，提高整体系统的能效。
　　在设计上，BU9910KV还具有低静态电流的特点，有助于降低待机功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。该芯片还具有良好的抗干扰能力，能够在电磁环境较为复杂的工业场合中稳定工作。
　　由于其高可靠性和优异的性能，BU9910KV广泛用于电机控制、电源管理和工业自动化设备中，尤其是在需要高侧驱动能力的场合。

BU9910KV主要应用于高侧N沟道MOSFET的栅极驱动控制，典型应用包括直流电机驱动、H桥逆变器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和控制系统。在电机控制应用中，BU9910KV可用于驱动H桥中的上桥臂MOSFET，实现对电机方向和速度的精确控制。在开关电源设计中，该芯片可用于驱动功率MOSFET以提高转换效率。此外，BU9910KV还可用于高功率LED驱动电路，实现恒流或调光控制。在电池管理系统中，该驱动器可帮助实现对充放电回路的高效控制。

IR2104、TC4420、LM5112、NCP21400、FAN7380