类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V（最大值）
　　连续漏极电流（Id）：100A（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装类型：TFLGA
　　安装类型：表面贴装

BU941ZTFI的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于其Rds(on)值非常低，在大电流应用中，它能显著减少热量产生，从而提高整体系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式MOS结构，进一步优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡。此外，其高栅极雪崩耐受能力和出色的热稳定性使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
　　另一个重要特性是其封装设计。TFLGA封装不仅提供了良好的散热性能，还支持紧凑的PCB布局，适用于空间受限的设计。这种封装形式也便于自动化生产，提高制造效率。
　　BU941ZTFI还具备出色的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的容错能力。这使其适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和汽车应用。

BU941ZTFI适用于多种高功率和高效率的电源管理应用。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及各种电源供应器设计。
　　在汽车电子领域，BU941ZTFI可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、电动空调压缩机驱动电路等。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其在这些应用中表现出色。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于PLC电源模块、伺服电机驱动器、工业电源模块等。其紧凑的封装设计和高效的热管理能力使其成为高密度电源设计的理想选择。

IRF1405ZPBF
　　SiS1906N
　　IPD90N03S4-01