BU941T是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高电压的电子电路中,例如电源、开关电源(SMPS)、电机控制和功率放大器等。该器件采用TO-220封装,具备高击穿电压和低导通电阻的特性,使其在高功率应用中表现优异。
类型: N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds): 400V
栅源电压(Vgs): ±30V
漏极电流(Id): 2A
导通电阻(Rds(on)): 最大2.5Ω
工作温度范围: -55°C至+150°C
封装类型: TO-220
BU941T具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现卓越。
首先,该MOSFET具备较高的漏源击穿电压(400V),能够在高电压环境下稳定工作,适用于电源开关和高压电路设计。其次,其导通电阻较低(最大2.5Ω),这有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。此外,该器件支持高达2A的连续漏极电流,适合中高功率应用,如电源供应器和DC-DC转换器。
在栅极驱动方面,BU941T支持±30V的栅源电压,使其兼容多种常见的驱动电路。同时,其TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性,便于散热设计和安装。该器件的宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其能够在恶劣环境下可靠运行,满足工业级和汽车电子的应用需求。
此外,BU941T还具备良好的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护,延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。
BU941T广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和照明控制系统。在开关电源中,该MOSFET可以作为主开关器件,实现高效的电能转换;在DC-DC转换器中,BU941T可以用于升压或降压拓扑结构,提供稳定的输出电压。此外,在电机控制和驱动电路中,该器件能够承受较高的电压和电流应力,确保系统的稳定运行。由于其高可靠性和宽温度范围,BU941T也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及不间断电源(UPS)等应用场景。
IRF840, 2SK1117, STP4NK50Z