BU941T 时间：2025/7/22 14:56:43 阅读：13

BU941T是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高电压的电子电路中，例如电源、开关电源（SMPS）、电机控制和功率放大器等。该器件采用TO-220封装，具备高击穿电压和低导通电阻的特性，使其在高功率应用中表现优异。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）: 400V
　　栅源电压（Vgs）: ±30V
　　漏极电流（Id）: 2A
　　导通电阻（Rds(on)）: 最大2.5Ω
　　工作温度范围: -55°C至+150°C
　　封装类型: TO-220

特性

BU941T具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现卓越。
　　首先，该MOSFET具备较高的漏源击穿电压（400V），能够在高电压环境下稳定工作，适用于电源开关和高压电路设计。其次，其导通电阻较低（最大2.5Ω），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件支持高达2A的连续漏极电流，适合中高功率应用，如电源供应器和DC-DC转换器。
　　在栅极驱动方面，BU941T支持±30V的栅源电压，使其兼容多种常见的驱动电路。同时，其TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于散热设计和安装。该器件的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境下可靠运行，满足工业级和汽车电子的应用需求。
　　此外，BU941T还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。

应用

BU941T广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和照明控制系统。在开关电源中，该MOSFET可以作为主开关器件，实现高效的电能转换；在DC-DC转换器中，BU941T可以用于升压或降压拓扑结构，提供稳定的输出电压。此外，在电机控制和驱动电路中，该器件能够承受较高的电压和电流应力，确保系统的稳定运行。由于其高可靠性和宽温度范围，BU941T也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及不间断电源（UPS）等应用场景。