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H5PS5182KFR-S5CR 发布时间 时间:2025/9/1 11:52:47 查看 阅读:10

H5PS5182KFR-S5CR 是由SK Hynix生产的一款高性能DRAM芯片。该芯片属于高带宽存储(HBM, High Bandwidth Memory)类别,广泛用于需要极高数据传输速率的应用场景,如高端显卡、人工智能加速器和网络设备。H5PS5182KFR-S5CR的设计使其能够在有限的空间内提供极大的内存带宽,这对于需要处理大量数据并进行并行计算的现代计算系统尤为重要。

参数

制造商:SK Hynix
  产品类型:DRAM
  内存类型:HBM(High Bandwidth Memory)
  封装类型:BGA(Ball Grid Array)
  数据速率:256GB/s
  内存容量:8GB
  工作电压:1.3V
  接口类型:并行接口
  最大工作温度:+85°C
  最小工作温度:-40°C
  封装尺寸:35mm x 7.5mm
  引脚数量:1024

特性

H5PS5182KFR-S5CR芯片采用了HBM技术,使得内存带宽显著提高。该芯片通过堆叠多个DRAM芯片并使用硅通孔(TSV, Through Silicon Via)技术实现高速数据传输,极大地减少了内存延迟和功耗。此外,该芯片还支持高密度封装,允许在极小的物理空间内提供巨大的内存容量。其封装尺寸仅为35mm x 7.5mm,适用于高密度和高性能的电子设备。H5PS5182KFR-S5CR的工作电压为1.3V,这有助于降低功耗,使其更适合于需要高能效比的设备。该芯片还具备出色的热管理和可靠性,可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级应用环境。

应用

H5PS5182KFR-S5CR主要应用于需要高带宽和低延迟的高性能计算领域,例如高端图形显卡、人工智能加速器、数据中心服务器、超级计算机以及网络交换设备。在图形处理单元(GPU)中,HBM内存能够提供极高的数据吞吐量,从而显著提升图形渲染和并行计算性能。此外,该芯片也适用于需要大量数据处理能力的深度学习和机器学习硬件加速器,以及高性能网络设备,如交换机和路由器。

替代型号

H5PS5182KFR-S5C

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