型号：BU8793KN-E2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　通道数：2
　　电路类型：音频运算放大器
　　供电电压（Vcc）：2.7V 至 5.5V
　　静态电流：典型值 2.0mA（每通道）
　　增益带宽积（GBW）：10MHz
　　转换速率（Slew Rate）：5V/μs
　　输入偏置电流：典型值 1pA
　　输入失调电压：典型值 1mV
　　共模抑制比（CMRR）：90dB（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：85dB（典型值）
　　总谐波失真+噪声（THD+N）：0.0005%（典型值，1kHz，1Vrms输出）
　　输出功率：100mW + 100mW（驱动8Ω负载，Vcc=5V）
　　信噪比（SNR）：110dB（A加权）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SSOP-B20

BU8793KN-E2具备卓越的音频性能，其核心优势在于极低的噪声水平和超高保真度的信号再现能力。该芯片的总谐波失真加噪声（THD+N）仅为0.0005%，这意味着在重放音乐或语音信号时几乎不会引入额外的失真成分，从而保证了原始音频信号的高度还原。其高达110dB的信噪比（SNR）使得即使在微弱信号输入的情况下也能保持清晰的声音输出，有效避免背景噪声的干扰。这种优异的噪声性能得益于内部优化的输入级设计和低噪声CMOS工艺的应用。
　　该器件的增益带宽积达到10MHz，支持从20Hz到超过100kHz的宽频响范围，远超人耳可听范围，有助于提升高频细节的表现力。5V/μs的转换速率确保了对快速变化的音频信号（如打击乐瞬态响应）的良好跟踪能力，避免相位失真和动态压缩。输入偏置电流低至1pA，使其非常适合用于高阻抗信号源（如电容麦克风前置放大）的应用场合，减少因输入电流引起的误差电压。
　　BU8793KN-E2还具备出色的直流精度，输入失调电压仅为1mV，降低了输出端的直流偏移风险，减少了对耦合电容的需求，有利于简化电路设计并提升低频响应。其共模抑制比和电源抑制比分别达到90dB和85dB，表明其对外部共模干扰和电源波动具有很强的抵抗能力，适合在复杂电磁环境中稳定运行。此外，芯片内置热关断与输出短路保护机制，在异常工况下能自动切断输出，防止器件损坏，提高系统安全性。

BU8793KN-E2主要应用于需要高质量音频放大的电子设备中。常见用途包括便携式媒体播放器中的立体声耳机放大器，为其提供强劲而纯净的音频驱动能力；在智能手机和平板电脑中作为主音频放大模块，提升通话和多媒体体验。它也适用于主动降噪耳机中的信号调理与放大环节，配合数字信号处理器实现精准的噪声抵消。在家庭音响系统和微型接收机中，BU8793KN-E2可用于前置放大器或线路驱动器，增强小信号的驱动能力。此外，车载信息娱乐系统利用该芯片进行音频信号缓冲与放大，确保在复杂电源环境下仍能维持稳定的音质表现。工业领域中，也可用于测试测量仪器的音频信号处理单元，满足高精度采集需求。由于其低功耗特性，该芯片同样适用于电池供电的无线音频终端设备，延长使用时间。无论是消费类还是工业级应用，BU8793KN-E2都能提供可靠且高性能的解决方案。

BU8793FV-E2