BU808DFH 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别。该器件设计用于高功率放大器和开关应用,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。BU808DFH 采用了先进的制造工艺,具备良好的热稳定性和耐久性,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等应用领域。该晶体管通常采用TO-220封装,具备良好的散热性能。
类型:NPN型双极晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):1500V
最大集电极电流(IC):8A
最大耗散功率(PD):125W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
增益带宽积(fT):4MHz
电流增益(hFE):在IC=2A,VCE=5V时为10000(最小值)
封装形式:TO-220
BU808DFH 功率晶体管具备一系列优异的电气和热性能,使其在高功率应用中表现出色。
首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)高达1500V,使其适用于高电压开关和放大电路。此外,最大集电极电流为8A,能够承受较大的负载电流,确保在高功率应用中的稳定运行。
其次,BU808DFH 的最大耗散功率为125W,结合TO-220封装的优良散热性能,使其在高功率密度环境下依然保持良好的热稳定性。这使得该器件非常适合用于需要长时间连续工作的工业和汽车应用。
此外,BU808DFH 具有较高的电流增益(hFE),在IC=2A,VCE=5V时,最小增益可达10000,确保了优异的信号放大能力。同时,其增益带宽积为4MHz,适用于中高频放大和开关应用。
该晶体管还具备良好的短路和过载保护能力,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。同时,其工作温度范围广泛(-55°C 至 150°C),适合在各种环境条件下使用。
最后,BU808DFH 的封装形式为TO-220,便于安装和散热管理,适用于标准的PCB布局和焊接工艺。
BU808DFH 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括:
1. 工业控制设备中的功率放大器和开关电路。
2. 电机驱动器和继电器驱动电路。
3. 电源转换器和稳压电源系统。
4. 汽车电子系统,如车载充电器和电源管理系统。
5. 工业自动化设备中的高功率控制模块。
6. 高压测试设备和电源负载调节器。
7. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
由于其高可靠性和优良的电气性能,BU808DFH 在多个行业中得到了广泛应用。
BU808AFS, BU808AFS-E2, BU808DFV, BU808DFS