BU7620MUV-E2 时间：2025/11/8 6:18:02 阅读：18

BU7620MUV-E2是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的高精度、低功耗运算放大器（Operational Amplifier），专为需要高增益、低失调电压和低温漂的应用场景设计。该器件采用CMOS工艺制造，具备轨到轨输入输出（Rail-to-Rail I/O）特性，能够在宽电源电压范围内稳定工作，适用于便携式设备、工业控制、传感器信号调理以及消费类电子产品中。BU7620MUV-E2封装形式为小型MSOP10（或类似小外形封装），适合对空间要求严苛的高密度PCB布局。该运放具有优异的直流性能，包括极低的输入失调电压（典型值低至30μV）和超低的温漂（低至0.1μV/°C），使其在微弱信号放大应用中表现出色，如称重传感器、热电偶放大、医疗监测设备等。此外，其低静态电流（通常为50μA/通道）确保了在电池供电系统中的长久运行能力。该器件还具备高共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR），有效抑制外部干扰，提升系统信噪比与稳定性。工作温度范围通常为-40°C至+125°C，满足工业级应用需求。BU7620MUV-E2符合RoHS环保标准，并带有E2后缀，表示其为编带包装规格，适用于自动化贴片生产流程。

参数

型号：BU7620MUV-E2
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：运算放大器（双通道）
　　供电电压范围：1.8V 至 5.5V
　　静态电流：50μA/通道（典型值）
　　输入失调电压：30μV（典型值）
　　输入失调电压温漂：0.1μV/°C（典型值）
　　增益带宽积（GBW）：1.2MHz
　　压摆率（Slew Rate）：0.5V/μs
　　输入偏置电流：1pA（典型值）
　　共模抑制比（CMRR）：100dB（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：100dB（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：MSOP10
　　输出类型：轨到轨
　　输入类型：轨到轨
　　通道数：2

特性

BU7620MUV-E2的核心优势在于其卓越的直流精度和低功耗特性的完美结合，这使得它在精密模拟信号处理领域具有广泛的应用前景。
　　首先，该运放的输入失调电压极低，典型值仅为30μV，最大值也控制在100μV以内，这意味着在零输入条件下输出几乎无误差，特别适用于微伏级信号的放大任务，例如压力传感器、桥式传感器或生物电信号采集系统。更进一步地，其失调电压随温度变化的漂移量极小，典型值为0.1μV/°C，这一指标远优于普通运放（通常为几μV/°C），显著减少了因环境温度波动引起的测量偏差，提升了系统的长期稳定性和可靠性。
　　其次，BU7620MUV-E2采用CMOS输入级结构，输入阻抗极高，输入偏置电流低至1pA，几乎不会对前级信号源造成负载效应，尤其适合高内阻传感器（如pH探头、光电二极管）的应用场景。同时，轨到轨输入和输出设计使其能够充分利用整个电源电压范围进行信号摆幅，提高了动态范围，在低电压供电（如3.3V或更低）系统中尤为重要。
　　该器件的低功耗特性同样突出，每通道静态电流仅50μA，支持长时间电池供电运行，适用于可穿戴设备、无线传感节点等对能耗敏感的应用。尽管功耗极低，其交流性能仍保持良好水平，1.2MHz的增益带宽积和0.5V/μs的压摆率足以应对大多数传感器信号滤波、缓冲和放大需求。
　　此外，高CMRR（100dB）和PSRR（100dB）保证了即使在存在共模干扰或电源噪声的情况下，也能维持精确的差分放大功能。内部补偿设计简化了外部电路配置，无需额外相位补偿元件即可稳定工作。整体而言，BU7620MUV-E2是一款集高精度、低噪声、低功耗与小型化于一体的高性能双运放解决方案。

应用

BU7620MUV-E2广泛应用于需要高精度信号调理的电子系统中。典型应用场景包括各类传感器信号放大，例如用于工业自动化中的压力、温度、流量传感器前端调理电路；在医疗设备中，可用于心电图（ECG）、脑电图（EEG）等生物电信号的前置放大，因其低噪声和高输入阻抗能有效捕捉微弱生理信号；在测试与测量仪器中，如数字万用表、数据采集模块，其低失调和低温漂特性有助于提高测量精度；此外，该器件也适用于便携式电子设备，如智能手环、健康监测仪、物联网终端节点等，这些设备通常依赖电池供电且空间受限，而BU7620MUV-E2的小型封装和低功耗特性正好满足此类需求；在消费类电子产品中，可用于音频前置放大、触摸屏控制器接口、电池管理系统的电压检测单元；同时，在精密电源管理电路中，也可作为参考电压缓冲器或反馈环路中的误差放大器使用；由于其工业级温度范围和高可靠性，还可用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载传感器模块、车内环境监控等。