时间：2025/7/23 3:37:36
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M29F040B55N6E是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的8位并行接口的Flash存储器芯片，具有512 KB的存储容量。这款Flash存储器采用标准的TSOP封装，适用于需要非易失性存储器的应用场景，如嵌入式系统、工业控制设备和消费电子产品。M29F040B55N6E支持快速读取操作，工作电压为2.7V至3.6V，具有较高的可靠性和耐用性。
容量：512 KB
接口类型：并行接口
数据总线宽度：8位
工作电压：2.7V - 3.6V
读取时间：55ns
封装类型：TSOP
引脚数量：32
M29F040B55N6E具备多种优良特性，包括高速读取访问时间（55ns），确保了数据的快速检索，满足高性能系统的需求。其低功耗设计使其适用于对能耗敏感的应用场景，例如便携式电子设备。该芯片支持标准的并行接口，方便与微控制器或其他系统部件进行连接和通信。此外，M29F040B55N6E具有较高的耐用性，支持100,000次以上的擦写周期，同时数据保存时间可达10年或更久，确保了数据的长期稳定性。
这款Flash存储器还集成了多种保护机制，例如硬件写保护和软件数据保护功能，防止意外写入或数据损坏。其封装形式为TSOP，尺寸紧凑，便于在空间受限的电路板上使用。M29F040B55N6E的工作温度范围通常为工业级标准（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境。
M29F040B55N6E广泛应用于嵌入式系统中，例如工业控制器、测量仪器、家用电器以及智能卡终端等设备。由于其高速读取能力和低功耗特性，它也适用于电池供电设备和便携式电子产品，如手持终端、数据采集设备等。此外，该芯片可用于固件存储、系统引导代码存储以及需要非易失性存储的其他应用场景。其并行接口设计使其适用于传统的8位或16位微处理器系统，为系统设计提供了灵活性和兼容性。
M29F040B-55N6E、M29F040B-90N6E、AM29F040B、SST39SF040
