BU5281G-TR 时间：2025/12/25 13:51:10 阅读：15

BU5281G-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于便携式电子设备和高效率电源管理电路中。该器件采用小型化封装，适合对空间要求严苛的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。BU5281G-TR的设计注重低导通电阻和快速开关性能，使其在负载开关、电机驱动、DC-DC转换器以及信号切换等应用中表现出色。其栅极阈值电压较低，支持逻辑电平直接驱动，从而简化了控制电路设计，降低了整体系统功耗。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级电子产品。ROHM作为全球领先的半导体制造商，为BU5281G-TR提供了严格的质量控制和长期供货保障，确保其在大批量生产中的稳定性与一致性。

参数

型号：BU5281G-TR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：DFN1010 (1.0mm x 1.0mm)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：1.3A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：5.2A
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=6V
　　栅极阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：30pF @ VDS=10V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　热阻(结到外壳, Rth(j-c))：90°C/W
　　热阻(结到环境, Rth(j-a))：300°C/W
　　极性：增强型
　　安装类型：表面贴装(SMT)

特性

BU5281G-TR的核心优势在于其优异的导通性能与紧凑的封装尺寸相结合，使其成为现代微型化电子产品中理想的功率开关元件。该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)最低可达30mΩ）显著减少了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。其采用的DFN1010超小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过底部裸露焊盘有效将热量传导至PCB，提升热管理效率。
　　该器件的栅极驱动特性经过优化，支持3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了数字控制器与功率器件之间的接口设计。其较低的栅极阈值电压（典型值0.8V）确保在低电压条件下也能实现充分导通，增强了在低压应用中的适用性。同时，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗和噪声干扰，提高高频开关应用的响应速度与稳定性。
　　在可靠性方面，BU5281G-TR符合AEC-Q101汽车电子认证标准，具备出色的抗静电能力（HBM ESD耐压达±2000V），并采用无铅、无卤素的环保材料制造，满足RoHS和REACH法规要求。器件内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力，在瞬态负载变化或短路情况下仍能保持稳定运行。此外，ROHM提供的SPICE模型和详细的应用笔记支持工程师快速完成电路仿真与设计验证，缩短产品开发周期。

应用

BU5281G-TR广泛应用于需要高效、小型化功率开关的各种电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑中的负载开关、背光LED驱动电路以及USB端口的过流保护与热插拔控制。在可穿戴设备中，由于其超小体积和低功耗特性，常用于动态电源门控以降低待机功耗。该器件也适用于各类DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，替代传统肖特基二极管以提升转换效率。
　　在工业控制领域，BU5281G-TR可用于驱动小型继电器、电磁阀或直流电机的H桥电路，实现精确的开关控制。其快速响应能力和稳定的电气参数使其适合用于信号切换或多路复用系统中。此外，在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的通断控制，配合保护IC实现电池安全管理和能量优化分配。由于其具备汽车级可靠性认证，也可应用于车载信息娱乐系统、传感器电源控制等非主驱类车用电子模块中，满足严苛的工作环境要求。