型号：CPH3438
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：17A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：68A
　　最大功耗（PD）：2.5W（@TA=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS=10V；7.2mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V（开启电压）
　　输入电容（Ciss）：1320pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：440pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SO-8

CPH3438采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在高电流应用中的功率损耗。这种低RDS(on)特性使其在大电流负载条件下仍能保持较高的能效表现，特别适用于电池供电设备或需要长时间运行的系统中。器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为5.3mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到7.2mΩ，表明其对标准逻辑电平驱动信号具有良好的兼容性，能够直接由微控制器或其他数字IC驱动而无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，输入电容Ciss为1320pF，输出电容Coss为440pF，在高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器中表现出色。较小的电容值意味着更低的驱动功率需求和更快的开关响应速度，有助于减少开关过程中的能量损耗并提升系统整体效率。此外，其反向恢复时间trr仅为18ns，说明体二极管具有较快的恢复能力，可有效降低在桥式电路或续流路径中产生的反向恢复损耗，防止因反向电流引起的EMI问题和热积累。
　　CPH3438的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其SO-8封装不仅节省PCB空间，还通过裸焊盘（exposed pad）设计增强了散热能力，允许通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，进一步提升功率处理能力。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，适用于车载电子系统中的电机控制、LED驱动模块等关键部位。
　　此外，CPH3438内置的体二极管具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载断开时提供一定程度的自我保护，提高系统的鲁棒性。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的理想选择之一。

CPH3438广泛应用于多种中等功率电子系统中，尤其适合需要高效率和小型化设计的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC降压（Buck）转换器，用于笔记本电脑、平板电脑、路由器等设备的主板电源管理模块，在这些系统中作为上下管开关元件实现高效的电压调节。其低RDS(on)和快速开关特性显著降低了导通和开关损耗，提升了电源转换效率，延长了电池续航时间。
　　在电机驱动领域，CPH3438可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机、步进电机或风扇等负载，广泛见于打印机、扫描仪、智能家居设备和小型机器人中。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在持续运行状态下依然保持可靠性能。
　　此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制电源通断，防止浪涌电流冲击，保护后级电路。在LED照明驱动方案中，CPH3438可用于恒流调节或PWM调光控制，特别是在汽车内部照明或便携式照明产品中表现出色。
　　由于其具备AEC-Q101认证，CPH3438还可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、电动门窗控制单元等汽车电子子系统中，满足严苛的环境要求和长期运行的可靠性需求。同时，它也被用于USB PD充电器、移动电源、无线充电发射端等消费类电源适配器中，作为主开关或同步整流管使用。其SO-8封装便于自动化贴装，适合大规模生产。

NTD3438N-D
　　FQP3438BL