BU52077GWZ-E2是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效能功率转换的场合。
BU52077GWZ-E2主要设计用于消费电子、工业控制和汽车应用等领域,其优异的性能使其成为现代电子系统中不可或缺的关键元件。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:130A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:98nC
总功耗:100W
工作温度范围:-40℃至175℃
BU52077GWZ-E2具备超低导通电阻,这使得其在大电流应用中能够显著减少传导损耗。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,从而提高了整体效率。此外,该器件还具有出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常运行。
该产品采用了TO-247-3封装形式,这种封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,非常适合于高功率密度的应用场景。
BU52077GWZ-E2还通过了多种质量认证,确保其在不同环境下的长期使用性能。
BU52077GWZ-E2广泛应用于直流电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动车的控制器等。由于其强大的电流处理能力和高效的功率转换特性,这款MOSFET特别适合需要高性能功率管理的复杂电子系统。
此外,它也被用于各类开关模式电源(SMPS)中,提供稳定的电流输出并保持较高的能量转换效率。
IRFP2907, FDP18N60, BU52076GWZ-E2