时间：2025/8/12 19:57:24
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IS61QDB41M36-250M3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于QDR（Quad Data Rate）II+ SRAM系列，具有高性能和低功耗的特点，广泛应用于网络设备、通信系统和高性能计算等领域。该SRAM采用36位数据总线宽度，容量为4M x 36位，适用于需要高速数据存取的场景。
类型：SRAM
容量：4M x 36 位
速度等级：250MHz
数据总线宽度：36位
接口类型：QDR II+
电压供应：2.3V 至 3.6V
封装类型：FBGA
引脚数：165
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
IS61QDB41M36-250M3 的核心特性之一是其 QDR II+ 架构，支持在单一时钟周期内完成读写操作，显著提高了数据吞吐量。其高速性能使其能够在高达250MHz的频率下运行，适用于高速缓存、数据缓冲和交换结构等应用。
该芯片支持同步操作，并提供独立的读写数据端口，以避免总线冲突并提高系统效率。此外，该SRAM具备低功耗设计，在保持高性能的同时降低了整体功耗，适用于对能效敏感的系统设计。
IS61QDB41M36-250M3 还具备高可靠性和稳定性，适用于严苛的工业和通信环境。其165 FBGA封装形式提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型设计。
IS61QDB41M36-250M3 主要应用于需要高速数据访问的高性能系统中，如路由器、交换机、无线基站、网络处理器、数据通信设备等。此外，该芯片也可用于测试设备、工业控制系统和嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储单元。
IS61QDB41M36-250S2, IS61QDB41M36-333M3
