BU508AF
时间：2022/12/1 13:54:46
阅读：560
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: ISOWATT-218FX
概述
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: ISOWATT-218FX
直流电流增益 hFE 最小值: 5
最大工作频率: 16 KHz
集电极—发射极最大电压 VCEO: 700 V
集电极连续电流: 8 A
功率耗散: 50 W
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
电流增益带宽 fT: 16 KHz
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
安装风格: Through Hole
资料
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| STMICROELECTRONICS |
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BU508AF参数
- 其它有关文件BU508AF View All Specifications
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）8A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）700V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）1V @ 1.6A，4.5A
- 电流 - 集电极截止（最大）200µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 100mA，5V
- 功率 - 最大50W
- 频率 - 转换-
- 安装类型通孔
- 封装/外壳ISOWATT218FX
- 供应商设备封装ISOWATT-218FX
- 包装管件
- 其它名称497-8748-5
