型号：BU4SU69
　　制造商：ROHM
　　通道数：1
　　电源电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输入偏置电流：1pA（典型值）
　　输入失调电压：1mV（最大值）
　　增益带宽积（GBW）：1MHz
　　压摆率（Slew Rate）：0.5V/μs
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　输出类型：轨到轨（Rail-to-Rail Output）
　　输入类型：轨到轨（Rail-to-Rail Input）
　　静态电流：60μA（典型值）
　　共模抑制比（CMRR）：90dB（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：90dB（典型值）
　　封装类型：SOP-8、SSOP-8等

BU4SU69的核心优势在于其超低输入偏置电流和轨到轨输入输出能力，这使其特别适用于高阻抗信号源的放大处理，例如光电二极管、热电偶、pH传感器等微弱信号采集系统。其输入偏置电流仅为1皮安（pA），远低于传统JFET输入运放，有效减少了因输入漏电流引起的测量误差，提升了系统的整体精度。该器件的输入级采用CMOS技术实现，不仅保证了极高的输入阻抗，还能在宽共模电压范围内保持稳定的性能表现。轨到轨输入结构允许输入信号接近甚至达到电源轨电压，极大扩展了可用输入范围，尤其在低电压供电环境下意义重大。同时，其轨到轨输出级能够在负载条件下将输出电压驱动至接近正负电源轨，通常可在离电源轨100mV以内满幅输出，从而最大化动态范围。
　　在动态性能方面，BU4SU69提供1MHz的增益带宽积和0.5V/μs的压摆率，足以应对大多数低频到中频信号的放大需求，如传感器信号调理、滤波电路、有源整流和电压跟随器等应用。尽管不是高速运放，但其频率响应足够满足多数精密测量系统的需要。静态电流仅为60μA，显著低于许多同类产品，使其成为电池供电设备的理想选择，有助于延长设备续航时间。此外，该运放具备出色的直流精度指标，包括低输入失调电压（最大1mV）和低温漂特性，确保在不同温度环境下仍能维持高测量一致性。高共模抑制比（90dB）和电源抑制比（90dB）进一步增强了其抗干扰能力，能够在存在较大共模噪声或电源波动的环境中稳定工作。内置相位补偿电路确保单位增益稳定，无需外部补偿元件即可配置为电压跟随器等常用拓扑结构，简化了电路设计流程。综合来看，BU4SU69是一款集低功耗、高精度、高输入阻抗和宽电压适应性于一体的通用型CMOS运放，适用于对功耗和精度均有较高要求的嵌入式模拟前端设计。

BU4SU69广泛应用于需要低功耗与高精度信号放大的电子系统中，典型应用场景包括各类传感器信号调理电路，如压力传感器、温度传感器、气体传感器和生物传感器的前端放大器。由于其极低的输入偏置电流，特别适合用于光电检测系统，例如光强度测量、烟雾探测器、脉搏血氧仪中的光电二极管跨阻放大器（TIA）设计。在便携式医疗设备如血糖仪、心电图机前端、手持式分析仪器中，BU4SU69能够有效提升信号采集的准确性和稳定性。此外，它也常用于工业自动化领域的4-20mA电流环接收器、低功耗数据采集模块、电池管理系统（BMS）中的电压监测单元以及智能变送器中的模拟信号处理部分。在消费类电子产品中，可用于触摸屏控制器的模拟前端、环境光传感器接口、音频前置放大器等场合。其宽电源电压范围和小封装特性也使其适用于物联网（IoT）节点、无线传感网络终端和可穿戴设备中的微型化设计。由于具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件同样适用于汽车电子中的非动力总成相关模块，如车内环境监测、座椅占用检测等。总之，凡是需要在有限功耗预算下实现高精度模拟信号放大的场景，BU4SU69都是一个可靠且高效的选择。

LMV321\BU4SA63G\TLV2462\MAX44260