2SK1904 时间：2025/12/28 10:23:19 阅读：10

2SK1904是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式硅栅极工艺制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性等特点，适用于高频开关操作环境。2SK1904封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。其设计目标是提供高效、可靠的功率开关性能，同时降低整体系统功耗。该MOSFET特别适用于便携式电子产品和电池供电设备中的电源管理模块。
　　由于其优异的电气特性与紧凑的封装尺寸，2SK1904常被用于负载开关、电机驱动、LED驱动电路以及各种低压逻辑控制下的功率切换应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的匹配以及适当的PCB布局以优化散热性能和电磁兼容性。

参数

型号：2SK1904
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：500mA（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：110pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：45pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：10pF（@Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK1904具有出色的开关特性和低导通电阻，使其在低电压、小电流功率控制应用中表现出色。其Rds(on)典型值仅为0.75Ω，在Vgs=10V条件下可实现高效的能量传输，减少功率损耗，提升系统能效。该器件采用沟道增强型MOSFET结构，确保在零栅压状态下完全关闭，避免不必要的漏电流，从而提高待机效率。其快速的开关响应能力得益于较低的栅极电荷（Qg）和寄生电容，使得在高频PWM调制下仍能保持稳定运行，适用于高达数百kHz的开关频率场景。
　　器件的热稳定性良好，能够在宽温度范围内保持一致的电气性能。SOT-23封装不仅节省空间，还具备一定的散热能力，通过PCB铜箔即可实现有效热传导。此外，2SK1904具备较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在装配和使用过程中的可靠性。其阈值电压范围适中，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，便于与微控制器、逻辑门电路等直接接口，无需额外电平转换电路。这大大简化了设计复杂度，降低了外围元件数量。
　　在可靠性方面，2SK1904经过严格的质量测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等试验，确保长期使用的稳定性。器件还具备良好的dv/dt抗扰能力，减少因电压瞬变引起的误触发风险。总体而言，2SK1904是一款高性能、高可靠性的微型MOSFET，适用于对体积、效率和成本有较高要求的应用场合。

应用

2SK1904主要应用于便携式消费类电子产品中的电源管理与信号切换功能。例如，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备中作为电池供电路径上的负载开关或电源选通控制，实现不同模块的独立上电与断电，从而延长待机时间。它也常用于DC-DC升压或降压转换器的同步整流部分，替代传统二极管以提高转换效率。在LED照明系统中，可用于驱动小型指示灯或背光单元，实现精确的亮度调节与快速响应。
　　此外，该器件适用于各类传感器模块的电源控制，通过MCU信号控制MOSFET的通断，实现传感器的按需供电，降低整体功耗。在工业控制领域，2SK1904可用于低功率继电器驱动、电磁阀控制或小型电机的启停控制。由于其具备良好的开关特性，也可作为模拟开关使用，在音频或数据信号路径中进行通道选择。在通信设备中，可用于射频前端模块的偏置电源控制或天线切换电路。总之，凡是需要小型化、低功耗、高效率开关功能的场景，2SK1904都是一个理想的选择。