BU4833F-TR 时间：2025/11/7 21:18:12 阅读：18

BU4833F-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的低电压、低功耗的CMOS比较器芯片，广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中。该器件内部集成了两个独立的电压比较器，能够对两个输入电压信号进行高速比较，并输出相应的数字电平信号。BU4833F-TR采用小型化的SOT-26封装形式，适合高密度PCB布局设计，尤其适用于空间受限的应用场景。其工作电压范围较宽，典型值为1.8V至5.5V，能够在低电源电压下稳定运行，从而有效降低系统整体功耗。该芯片具有较高的输入阻抗和较低的输入偏置电流，确保在微弱信号检测时仍能保持良好的精度和稳定性。此外，BU4833F-TR具备快速响应能力，传播延迟时间短，适用于需要实时信号处理的场合。由于其出色的温度稳定性与抗干扰能力，该器件可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）可靠工作，满足多种严苛环境下的应用需求。内置的迟滞电路有助于提高噪声 immunity，防止因输入信号抖动而导致输出频繁翻转，提升了系统的鲁棒性。BU4833F-TR常用于电源监控、电池电量检测、过压/欠压保护、传感器信号调理以及A/D转换器前端预处理等电路中。作为一款成熟且广泛应用的通用比较器产品，它在消费类电子产品、智能家居设备、可穿戴设备及工业控制系统中均有出色表现。

参数

型号：BU4833F-TR
　　类型：双通道CMOS比较器
　　供电电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值0.6μA
　　输入偏置电流：典型值1pA
　　传播延迟时间：典型值2.8μs
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-26
　　通道数：2
　　输出类型：开漏输出
　　单位增益带宽：不适用（比较器）
　　压摆率：不适用
　　共模输入电压范围：包含GND
　　输出高阻态泄漏电流：最大值100nA
　　响应时间：标准测试条件下约3μs
　　关断功能：无
　　集成迟滞：有（内置）
　　ESD耐受能力：HBM模式下可达±2kV

特性

BU4833F-TR的核心优势在于其极低的静态功耗与宽电压适应能力，这使其成为电池驱动设备中的理想选择。该芯片在电源电压低至1.8V时仍能正常工作，确保在电池电量下降过程中依然维持基本功能运行，延长了设备的可用时间。其超低的静态电流（典型值仅为0.6μA）显著减少了待机状态下的能量损耗，特别适用于长期处于监测状态但需间歇性工作的系统，如无线传感器节点或智能手环的唤醒检测电路。比较器的输入级采用CMOS工艺制造，具备极高的输入阻抗和极小的输入偏置电流（典型值1pA），这意味着即使在高源阻抗环境下也不会产生明显的电压降，从而避免测量误差，适用于光电二极管、热敏电阻或其他微弱信号源的直接接口。
　　另一个关键特性是其内置的输入迟滞功能，有效抑制了由于噪声或输入信号缓慢变化引起的输出振荡现象。这一设计无需外接正反馈电阻即可实现稳定的开关动作，简化了外围电路设计并节省了PCB空间。同时，开漏输出结构允许用户根据系统需求灵活配置上拉电阻，支持电平转换功能，便于与其他不同逻辑电压的IC协同工作。例如，在3.3V主控系统中连接5V信号链路时，可通过外加上拉实现安全通信。此外，该器件的传播延迟时间短（典型值2.8μs），保证了对外部事件的快速响应，适用于对时序敏感的应用场景，如脉冲检测或窗口比较器电路。其良好的温度稳定性使得性能参数在-40°C至+85°C范围内波动较小，适合部署于户外或工业环境中。整体而言，BU4833F-TR以高集成度、低功耗、强稳定性等特点，在众多同类产品中展现出优异的性价比和可靠性。

应用

BU4833F-TR因其低功耗和小型化特点，被广泛应用于各类便携式和嵌入式电子系统中。常见用途包括电池供电设备中的电压监控单元，用于检测电池剩余电量并在电压低于设定阈值时触发报警或关机机制，防止过放电损坏电池。在电源管理系统中，它可以构成简单的过压保护（OVP）或欠压锁定（UVLO）电路，保障后级电路的安全运行。此外，该芯片也常用于传感器信号调理模块，将模拟传感器输出的连续电压转换为数字开关信号，供微控制器读取判断，例如温度开关、光控开关或液位检测装置。在数据采集系统中，BU4833F-TR可作为模数转换前的预处理元件，构建窗口比较器以判断信号是否处于正常区间。其开漏输出特性还使其适用于I2C总线电平转换辅助电路或中断请求生成电路。其他应用场景还包括便携医疗设备、智能穿戴设备的状态指示、工业自动化中的位置传感接口以及家用电器中的按键去抖检测等。凭借其紧凑的SOT-26封装和高可靠性，该器件非常适合对体积和功耗有严格要求的设计项目。