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BU4830FVE-TR 发布时间 时间:2025/11/8 10:28:52 查看 阅读:12

BU4830FVE-TR是一款由ROHM Semiconductor生产的低电压、低功耗的CMOS比较器集成电路,专为便携式电子设备和电池供电系统中的高精度信号检测应用而设计。该器件采用超小型SMT封装(如SSOP或TDFN),适合空间受限的应用场景。BU4830FVE-TR内部集成了两个精密比较器单元,具备快速响应时间和低传播延迟,能够在宽电源电压范围内稳定工作。其设计优化了静态电流消耗,非常适合对功耗敏感的应用,例如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点以及各种类型的电池监控电路。该比较器具有较高的输入阻抗和良好的共模抑制能力,允许输入信号在较宽的电压范围内变化而不影响性能。此外,它还具备内部迟滞功能,有助于防止输出在阈值附近振荡,从而提高系统稳定性。由于其出色的性能与紧凑的封装形式,BU4830FVE-TR广泛应用于电压监测、过压/欠压保护、窗口比较器、电平转换以及模拟信号调理等场景。

参数

型号:BU4830FVE-TR
  制造商:ROHM Semiconductor
  产品类型:模拟比较器
  通道数:2
  电源电压(单电源):1.8V 至 5.5V
  电源电压(双电源):±0.9V 至 ±2.75V
  静态电流:典型值 5μA/通道
  输入偏置电流:典型值 1pA
  传播延迟:典型值 6μs
  输出类型:推挽式(Rail-to-Rail)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TDFN-8 (0.65mm pitch)
  安装类型:表面贴装(SMT)
  上升时间/下降时间:典型值 1.5μs
  增益带宽积:不适用(比较器)
  输入共模电压范围:0V 至 VCC - 0.1V
  输出电流能力:±20mA(最大)

特性

BU4830FVE-TR的核心优势在于其极低的功耗表现与高精度的比较性能相结合。该器件在每个比较器通道上的静态电流仅为约5μA,使得整体功耗非常低,特别适用于依靠电池长时间运行的便携式设备。这种低功耗特性不仅延长了电池寿命,也有助于减少热耗散,提升系统的可靠性。其输入偏置电流低至1pA级别,意味着即使在高阻抗信号源条件下也能保持准确的比较动作,避免因输入漏电流导致的测量误差。
  该芯片支持1.8V至5.5V的宽电源电压范围,使其能够兼容多种逻辑电平系统,包括1.8V、3.3V和5V数字接口,增强了设计灵活性。推挽式输出结构提供了轨到轨的输出摆幅,无需外部上拉电阻即可直接驱动CMOS或TTL逻辑输入,简化了外围电路设计并节省PCB空间。同时,输出具有较强的驱动能力,最高可提供±20mA的负载电流,适用于直接驱动LED或小型继电器等负载。
  Built-in hysteresis is another key feature of the BU4830FVE-TR, which helps prevent output oscillation when the input signal is near the threshold voltage, especially in noisy environments or slow-moving signals. This internal hysteresis eliminates the need for external positive feedback components, reducing component count and board area. The typical propagation delay is as low as 6μs, enabling fast response to input changes, making it suitable for real-time monitoring applications such as battery voltage detection or overvoltage protection circuits.
  The device operates reliably across an industrial temperature range of -40°C to +85°C, ensuring stable performance under harsh environmental conditions. The TDFN-8 package offers excellent thermal performance and a compact footprint, ideal for space-constrained designs like wearable electronics and mobile accessories. Additionally, the high input impedance and wide common-mode input voltage range allow the comparator to accurately process signals even when referenced to ground or close to the supply rails.

应用

BU4830FVE-TR广泛应用于需要低功耗和高精度电压比较的各种电子系统中。常见用途之一是电池供电设备中的电压监控电路,例如在智能手机、平板电脑或便携式医疗设备中用于检测电池电量是否低于预设阈值,从而触发低电量警告或自动关机机制。其低静态电流特性确保监控功能不会显著消耗电池能量。该芯片也常被用作电源管理单元中的欠压锁定(UVLO)或过压保护(OVP)模块,当输入电压超出安全范围时,迅速切断后续电路以防止损坏。
  在传感器接口电路中,BU4830FVE-TR可用于将模拟传感器输出与参考电压进行比较,实现数字化状态判断。例如,在温度监控系统中,它可以将热敏电阻分压后的电压与设定阈值对比,一旦超过限值即切换输出状态以激活冷却风扇或报警装置。同样地,在光感控制应用中,可用于根据环境光照强度自动开启或关闭背光灯。
  由于其双通道设计,该器件还可构建窗口比较器,监测输入信号是否落在两个预设电压之间。这在工业控制系统中尤为有用,例如监控电机绕组电压或电源输出稳定性。此外,它也可用于信号整形电路,将缓慢变化的模拟信号转换为清晰的数字脉冲,供微控制器读取。其他应用场景还包括电源排序、电平转换、零交叉检测以及便携式仪器仪表中的状态指示等。凭借其小型化封装和高性能指标,BU4830FVE-TR成为现代嵌入式系统中不可或缺的模拟前端组件之一。

替代型号

LMV332IDGKR
  TSZ122IST
  MAX9021AUT+T
  NCS2201T1G

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BU4830FVE-TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 监控器
  • 系列-
  • 类型简单复位/加电复位
  • 监视电压数目1
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位高有效/低有效
  • 复位超时-
  • 电压 - 阀值3V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-665
  • 供应商设备封装5-VSOF
  • 包装带卷 (TR)