BU4823F 时间：2025/11/7 20:37:38 阅读：7

BU4823F是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的低电压、低功耗的CMOS比较器芯片，广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中。该器件集成了单路比较器电路，采用先进的CMOS工艺制造，具有高输入阻抗、低静态电流和快速响应的特点。BU4823F能够在较宽的电源电压范围内稳定工作，适用于对功耗敏感的应用场景，如智能手机、可穿戴设备、传感器信号调理电路以及各种低功耗控制系统。其封装形式为小型化的SOT-23或SSOP等表面贴装类型，有助于节省PCB空间，提升系统集成度。此外，该芯片具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，能够在工业级温度范围内可靠运行，满足多种环境下的使用需求。由于其出色的性能表现和紧凑的设计，BU4823F在现代电子设计中被广泛用于电压检测、过压/欠压保护、窗口比较器构建以及模拟信号数字化处理等功能模块中。

参数

型号：BU4823F
　　制造商：ROHM
　　通道数：1
　　电源电压（单电源）：1.8V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值0.6μA
　　输入失调电压：最大3mV
　　输入偏置电流：典型值0.1pA
　　响应时间：典型值5μs
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　输出类型：推挽输出
　　封装类型：SSOP-B8

特性

BU4823F作为一款专为低功耗应用优化的CMOS比较器，具备多项优异的技术特性。首先，其超低静态电流设计是该器件的核心优势之一，在典型工作条件下仅消耗约0.6μA的电流，使其非常适合用于电池供电设备中，显著延长了系统的续航时间。这一特性对于物联网终端节点、无线传感器网络、智能手环等依赖长期运行而无法频繁更换电池的应用尤为重要。其次，该比较器支持宽范围的单电源供电，可在1.8V至5.5V之间正常工作，兼容多种常见的低压逻辑电平标准（如1.8V、3.3V和5V系统），增强了其在不同电路架构中的适应性。
　　另一个关键特性是其极高的输入阻抗，得益于CMOS输入级结构，输入偏置电流低至0.1pA级别，这意味着它对前级信号源的影响极小，特别适合连接高阻抗传感器（如热敏电阻、光敏元件或电化学传感器）进行微弱信号比较。同时，输入失调电压控制在3mV以内，保证了较高的比较精度，减少了因器件自身误差导致的误触发风险。响应时间方面，BU4823F在典型条件下可达5μs，虽然不属于高速比较器范畴，但足以应对大多数中低频信号处理任务，例如电池电量监测、门限报警、A/D转换辅助等功能。
　　该器件还具备推挽式输出结构，无需外部上拉电阻即可直接驱动后续数字电路（如MCU的GPIO或触发器），简化了外围设计并降低了整体成本。此外，其工作温度范围覆盖-40°C到+85°C，符合工业级应用要求，确保在复杂环境下仍能保持稳定性能。SSOP-B8的小型封装不仅节省PCB空间，也便于自动化贴片生产，提升了制造效率。综合来看，BU4823F凭借其低功耗、高精度、易用性和可靠性，成为众多嵌入式系统设计师在构建电压监控与信号判断功能时的理想选择。