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STY60NK30Z 发布时间 时间:2025/7/23 20:52:38 查看 阅读:4

STY60NK30Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备。STY60NK30Z采用TO-220封装,具有良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):300V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID)@25°C:60A
  导通电阻(RDS(on)):0.035Ω @VGS=10V
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220

特性

STY60NK30Z具有多项优异特性,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力(300V)使其适用于中高功率应用,同时具备良好的短路和过载保护能力。
  此外,STY60NK30Z采用先进的制造工艺,确保了器件在高温下的稳定性和可靠性,其最大工作温度可达175°C,适合在恶劣环境中使用。TO-220封装不仅便于安装和散热,还提供了良好的电气隔离性能。
  该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关电源设计,减少开关损耗并提高响应速度。其栅极驱动特性优化,可与常见的驱动IC兼容,简化了外围电路设计。
  STY60NK30Z在设计上考虑了热保护和电流限制功能,能够在异常工作条件下提供更高的安全性和稳定性,延长设备使用寿命。

应用

STY60NK30Z广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,提供高效能和高可靠性的功率开关解决方案。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制系统中,提供高效的功率控制。
  3. 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中,作为主功率开关器件使用。
  4. 工业自动化设备:适用于各种需要高效率和高可靠性的工业控制系统。
  5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路,确保系统安全运行。
  由于其优异的电气性能和可靠性,STY60NK30Z也常用于汽车电子、家电控制、LED照明驱动等应用领域。

替代型号

STP60NF30, STP60NF30Z, IRFZ44N, FDP6030L

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STY60NK30Z参数

  • 其它有关文件STY60NK30Z View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大450W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳MAX247?
  • 供应商设备封装MAX-247
  • 包装管件
  • 其它名称497-4432-5