STY60NK30Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,适用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备。STY60NK30Z采用TO-220封装,具有良好的热性能和电流承载能力。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):300V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID)@25°C:60A
导通电阻(RDS(on)):0.035Ω @VGS=10V
功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
STY60NK30Z具有多项优异特性,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力(300V)使其适用于中高功率应用,同时具备良好的短路和过载保护能力。
此外,STY60NK30Z采用先进的制造工艺,确保了器件在高温下的稳定性和可靠性,其最大工作温度可达175°C,适合在恶劣环境中使用。TO-220封装不仅便于安装和散热,还提供了良好的电气隔离性能。
该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频开关电源设计,减少开关损耗并提高响应速度。其栅极驱动特性优化,可与常见的驱动IC兼容,简化了外围电路设计。
STY60NK30Z在设计上考虑了热保护和电流限制功能,能够在异常工作条件下提供更高的安全性和稳定性,延长设备使用寿命。
STY60NK30Z广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,提供高效能和高可靠性的功率开关解决方案。
2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制系统中,提供高效的功率控制。
3. 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中,作为主功率开关器件使用。
4. 工业自动化设备:适用于各种需要高效率和高可靠性的工业控制系统。
5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路,确保系统安全运行。
由于其优异的电气性能和可靠性,STY60NK30Z也常用于汽车电子、家电控制、LED照明驱动等应用领域。
STP60NF30, STP60NF30Z, IRFZ44N, FDP6030L