时间：2025/12/25 13:30:10
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BU4815FVE-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的低电压、低功耗的CMOS比较器集成电路，专为电池供电设备和其他对功耗敏感的应用而设计。该器件采用微型SMT封装（如SSOP或TDFN），适用于空间受限的便携式电子产品。BU4815FVE-TR集成了一个高精度的电压比较器，内置迟滞功能，有助于提高噪声抗扰度，防止在输入信号接近阈值时产生输出振荡。该芯片支持宽电源电压范围，能够在低至1.8V的电压下稳定工作，使其非常适合用于单节锂电池或纽扣电池供电系统。其内部结构包含轨到轨输入级，允许输入共模电压范围覆盖整个电源范围，从而增强了在低压环境下的信号检测能力。此外，该器件具有快速响应时间，能够在微秒级别内完成电平判断，确保系统实时性要求。BU4815FVE-TR还具备出色的温度稳定性与长期可靠性，适合工业级和消费类电子产品的广泛应用场景。由于其高集成度和小封装特性，该芯片常被用于电压监控、电池电量检测、过压/欠压保护电路以及传感器信号调理等场合。
型号：BU4815FVE-TR
制造商：ROHM
封装类型：TDFN6
通道数：1
电源电压（最小）：1.8V
电源电压（最大）：5.5V
输入偏置电流：1pA（典型值）
传播延迟：2.5μs（典型值）
输出类型：开漏（Open Drain）
静态电流：0.8μA（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
输入电压范围：0V 至 VCC
输出灌电流能力：100mA（最大）
内置迟滞：约10mV
BU4815FVE-TR的核心优势在于其极低的静态电流消耗，典型值仅为0.8μA，这使得它成为电池寿命至关重要的应用中的理想选择，例如可穿戴设备、无线传感器节点和远程监测终端。这种超低功耗特性不仅延长了设备运行时间，还减少了热生成，提高了系统整体能效。该比较器采用开漏输出结构，允许用户通过外接上拉电阻连接到任意兼容的逻辑电平，从而实现与不同电压域的微控制器或其他数字电路的无缝接口。这一灵活性大大增强了其在多电源系统中的适用性。
另一个关键特性是其内置的输入迟滞功能，约为10mV，有效提升了抗噪声能力。在实际应用中，当输入信号缓慢变化或存在高频干扰时，迟滞机制可以防止输出频繁翻转，确保状态切换的稳定性和可靠性。这对于诸如电池电压监测或门限检测等需要精确判断的应用尤为重要。此外，该器件支持轨到轨输入，意味着其共模输入电压可以从地（0V）延伸至正电源（VCC），极大地扩展了可用输入范围，特别适合处理接近电源轨的微弱信号。
BUR4815FVE-TR的工作电压范围宽达1.8V至5.5V，兼容多种电源配置，包括3.3V和5V系统，同时也适用于逐步放电的电池供电环境。其传播延迟短，典型值为2.5μs，保证了快速响应外部事件的能力。制造工艺方面，该芯片基于高可靠性的CMOS技术，具备良好的抗静电能力和温度稳定性，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内性能一致。此外，TDFN6的小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，适合高密度组装需求。综合来看，BU4815FVE-TR是一款高性能、低功耗、高集成度的模拟比较解决方案，广泛适用于现代节能型电子系统的设计。
BU4815FVE-TR广泛应用于各类需要低功耗电压比较功能的电子设备中。常见用途包括便携式医疗设备中的电池电量指示电路，通过设定参考电压来判断电池剩余容量并触发报警或关机机制。在物联网（IoT）节点中，该芯片可用于唤醒控制，当传感器信号超过预设阈值时激活主控MCU，从而实现间歇性工作模式以节约能源。此外，它也常用于电源管理系统中的过压或欠压检测模块，保护后续电路免受异常电压影响。在工业自动化领域，BU4815FVE-TR可用于传感器信号调理，将模拟传感器输出与固定参考电压进行比较，生成数字中断信号供控制器读取。其他应用场景还包括液位检测、光敏控制、温度开关、手持测试仪器以及智能卡设备等。由于其小型封装和高可靠性，该器件也适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。
LMV331P5F\BU4815FVT\XC62C15F
