时间：2025/4/25 9:16:18
阅读：5
BU45K464是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其出色的导通电阻特性和较高的电流处理能力使其成为许多功率管理应用的理想选择。
BU45K464采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（V(BR)DSS）以及快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(V(BR)DSS)：60V
连续漏极电流(ID)：42A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：79nC（最大值）
总功耗(PD)：185W（在Tc=25℃时）
工作温度范围(TJ)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 采用标准TO-247封装，易于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使BU45K464适用于各种需要高效功率转换的应用场景，如开关电源、电机控制和工业自动化设备等。
1. 开关电源（SMPS）和适配器。
2. DC-DC转换器和逆变器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
6. 各类高效功率管理模块。
其高电流能力和低导通电阻特别适合于要求高效率和高可靠性的电力电子应用。
IRFP2907, FDP5600
