时间：2025/9/14 16:02:07
阅读：4
BUK964R1-40E,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流和高效率的应用而设计，具有低导通电阻、优异的热性能和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及汽车电子等广泛领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（典型值）
封装类型：TO-263(D2PAK)
安装类型：表面贴装(SMD)
功率耗散(Pd)：180W
BUK964R1-40E,118具备多项优异的电气和热性能特点。其导通电阻仅为1.4mΩ，这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的封装设计（TO-263）优化了热管理，提高了器件在高温环境下的稳定性与可靠性。
该器件的最大漏极电流可达150A，适用于高功率密度设计。栅极驱动电压范围宽，支持常见的逻辑电平控制，适用于多种驱动电路配置。同时，该MOSFET具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用如DC-DC转换器、同步整流器等。
在可靠性方面，BUK964R1-40E,118符合AEC-Q101汽车电子标准，适合在汽车应用中使用。其封装材料符合RoHS环保标准，确保了器件在工业和汽车领域中的广泛适用性。
BUK964R1-40E,118广泛应用于多种高功率和高效能的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电动工具、服务器电源、不间断电源（UPS）及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，由于其符合AEC-Q101标准，也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电机驱动器以及车身控制模块等。
该MOSFET在电源管理领域尤为突出，例如在多相电源设计中用于提供高效能输出。同时，其优异的导通电阻特性也使其适用于需要低损耗功率开关的场合，如高效率电源转换和负载开关应用。
SiS178DN, IRF1405, STP150N4F7AG, FDS4410A
