时间：2025/8/15 16:28:10
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BU4343F-TR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件采用高性能硅技术制造，具有低导通电阻和高耐压特性，能够有效提高系统效率并降低功耗。BU4343F-TR封装为SOT-223，适合表面贴装，便于在紧凑型电子设备中使用。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 30V
栅源电压(Vgs): ±20V
连续漏极电流(Id): 4A
导通电阻(Rds(on)): 75mΩ
功率耗散(Pd): 1.25W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: SOT-223
BU4343F-TR具备一系列优异的电气特性和可靠性。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能源转换效率，适用于电池供电设备和高效率电源系统。
该MOSFET具有较高的耐压能力，能够在较高电压环境下稳定工作，确保系统运行的可靠性。
此外，BU4343F-TR的SOT-223封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，便于在高密度PCB布局中使用。
其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，适用于开关电源、负载开关、DC-DC转换器等应用场景。
同时，该器件具有较低的输入电容，有助于提升开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
BU4343F-TR广泛应用于各类电子设备中，如电源管理模块、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和LED照明系统等。由于其高可靠性和优异的电气性能，特别适合对空间和效率要求较高的便携式设备和工业控制系统。
BU4343F-TE1
