时间：2025/12/25 11:45:41
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BU4328G-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装（SOP-8），适合在高密度印刷电路板上使用。BU4328G-TR以其低导通电阻、高效率和良好的热稳定性而著称，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各种需要高效能功率开关的应用场景。该MOSFET设计用于在低电压控制信号下实现快速开关操作，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。其栅极阈值电压适中，兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在严苛的工作条件下稳定运行。
型号：BU4328G-TR
制造商：ROHM
封装类型：SOP-8
晶体管极性：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
脉冲漏极电流(Id_pulse)：24A
导通电阻(Rds(on))：16mΩ @ Vgs=10V, Id=3A
导通电阻(Rds(on))：20mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3A
栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：800pF @ Vds=15V
开启延迟时间(Td(on))：10ns
关断延迟时间(Td(off))：20ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻Rth(j-a)：200°C/W
安装类型：表面贴装
BU4328G-TR具备优异的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了在高电流应用中的功率损耗，提高了能源利用效率。在Vgs为10V时，其Rds(on)仅为16mΩ，而在4.5V的较低驱动电压下也能保持20mΩ的低阻值，使其非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的开关电源系统。这种低Rds(on)特性不仅减少了发热，还允许更高的持续电流通过，提升了系统的整体功率密度。
该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，优化了载流子迁移路径，增强了电流处理能力，并有效抑制了寄生效应。其800pF的输入电容相对较低，有助于加快开关速度，减少开关延迟时间，从而降低动态功耗。开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为20ns，表现出快速响应能力，适用于高频开关应用如同步整流、降压/升压变换器等。
热稳定性方面，BU4328G-TR的最大结温可达+150°C，并具备良好的热阻特性（Rth(j-a)=200°C/W），结合SOP-8封装的散热设计，可在有限空间内实现有效的热量散发。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构。
从可靠性角度看，该MOSFET经过严格的生产测试，符合AEC-Q101车规级标准的部分要求（视具体批次而定），具备较高的抗静电能力（HBM模型）和耐久性。其栅氧化层设计可承受±20V的栅源电压，提供了一定程度的过压保护。整体设计兼顾了高性能、小型化与长期运行的稳定性，是现代便携式电子设备和工业控制系统中理想的功率开关元件。
BU4328G-TR广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的DC-DC转换器电路。它常被用作同步整流器以提升转换效率，或作为负载开关控制外设电源的通断，实现节能与热管理。
在工业控制设备中，该器件可用于电机驱动电路、继电器替代方案以及各类开关电源（SMPS）中，特别是在低电压大电流输出的Buck转换器中表现优异。由于其支持3.3V逻辑电平直接驱动，因此能够无缝集成到由微控制器或FPGA控制的数字电源系统中，简化外围电路设计。
此外，BU4328G-TR也适用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、USB充电端口的限流与保护电路，以及各类需要高效能N沟道MOSFET的嵌入式系统。其小型SOP-8封装有利于节省PCB空间，适合高密度组装需求。
在汽车电子领域，尽管并非所有版本都通过完整车规认证，但部分应用场景如下游电源分配单元、车载信息娱乐系统电源模块中也有使用。同时，其稳定的高温工作性能使其适用于环境温度较高的工业或户外设备中。总之，BU4328G-TR凭借其优良的开关特性和紧凑的封装形式，成为中小功率开关应用中的主流选择之一。
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"BU4325G-TR",
"BU4326G-TR",
"Si2302DDS",
"AO3400",
"IRLML6344TRPBF"
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