时间：2025/5/8 19:49:44
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BU4216FVE-TR 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 治道 MOSFET 芯片。该器件采用小型封装，适合在空间受限的应用中使用，例如消费类电子产品、通信设备和工业控制等场景。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功耗并提高系统效率。
BU4216FVE-TR 的设计使其适用于多种电路，包括负载开关、同步整流器和电源管理模块等。此外，由于其出色的电气性能和稳定性，这款芯片被广泛推荐用于便携式设备和其他低功耗应用。
类型：N 治道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：30V
最大栅源电压 (VGS)：±8V
连续漏极电流 (ID)：7.9A
导通电阻 (RDS(on))：15mΩ
总功耗 (Ptot)：1.1W
工作温度范围 (TJ)：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23-3
1. 高效的导通性能，导通电阻仅为 15mΩ，可显著减少能量损耗。
2. 小型化封装 SOT-23-3，节省 PCB 空间。
3. 支持大电流运行，最大连续漏极电流可达 7.9A。
4. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，确保在极端环境下的稳定表现。
5. 快速开关特性，有助于提升系统的动态响应能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 消费类电子产品的电源管理单元。
2. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
3. 工业控制系统的信号切换和驱动。
4. 各种 DC-DC 转换器及同步整流电路。
5. 通信设备中的电源分配与管理。
6. 便携式设备的高效节能解决方案。
7. 其他需要高性能 N 治道 MOSFET 的场合。
BS170, BSS138, AO3400
