BU384A 时间：2025/7/26 7:56:42 阅读：4

BU384A 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等应用。该器件采用 TO-252 封装（也称为 DPAK），具有良好的热性能和较高的电流承载能力，适合中高功率应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　漏极电流（ID）：8 A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2 V ~ 4 V
　　功率耗散（PD）：50 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

BU384A 具备多项适用于功率开关应用的优良特性。其最大漏源电压可达 600V，适用于多种高压应用环境，例如开关电源和工业电机控制。该 MOSFET 的最大漏极电流为 8A，在 TO-252 封装中提供了较高的电流承载能力，有助于减少外部散热器的尺寸或需求。其导通电阻为 1.0Ω，确保了在导通状态下的低功耗，从而提升整体系统的效率。此外，BU384A 的栅极阈值电压在 2V 至 4V 之间，使其适用于常见的驱动电路设计，例如 PWM 控制器的输出驱动。该器件的封装形式为 TO-252，具备良好的散热性能，同时节省 PCB 空间，适合高密度设计。BU384A 的最大功率耗散为 50W，能够在较高温度下稳定运行，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 150°C）。这些特性使得 BU384A 成为中高功率开关应用中的可靠选择。
　　此外，BU384A 的设计还考虑了抗雪崩击穿能力，确保在瞬态过压情况下仍能保持稳定工作。其高频响应特性也使其适用于开关频率较高的 DC-DC 转换器设计。同时，该器件的封装形式便于安装和散热管理，降低了 PCB 设计的复杂性。综上所述，BU384A 是一款性能稳定、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种工业和消费类电子设备。

应用

BU384A 广泛应用于各种电力电子系统，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高耐压和中等电流能力使其特别适合用于开关电源（SMPS）和 LED 照明驱动电路。此外，该器件也可用于家用电器中的功率管理模块，例如变频空调、洗衣机和电冰箱的电机控制电路。在汽车电子领域，BU384A 可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及电池管理系统中的功率开关部分。其良好的热性能和封装设计也使其适用于高密度 PCB 布局的嵌入式系统。