MRF313是一种广泛应用于射频功率放大器的双极型晶体管(BJT),特别适用于高频和高功率场景。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,常见于无线通信系统、广播设备、工业控制等领域。MRF313的设计支持高增益和高效率的功率输出,使其成为射频放大器设计中的重要组件。
类型:双极型晶体管(BJT)
材料:硅(Si)
最大集电极电流:1.5 A
最大集电极-发射极电压:30 V
最大功率耗散:30 W
频率范围:175 MHz - 500 MHz
增益:12 dB(典型值)
封装类型:TO-220
热阻:2.5°C/W(结到壳)
MRF313晶体管具有多项出色的性能特点。首先,其高频响应能力使其在175 MHz至500 MHz范围内表现优异,适合多种射频应用。其次,该晶体管的高功率处理能力(最大功率耗散为30 W)使其能够作为功率放大器的核心元件,提供稳定的信号放大功能。此外,MRF313采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性。该晶体管还具有较高的线性度,能够减少信号失真,提升整体系统性能。同时,其12 dB的典型增益值使其在放大电路中具有较高的效率。最后,MRF313的设计使其在恶劣环境下也能保持稳定工作,适用于多种工业和通信场景。
MRF313主要用于射频功率放大器的设计,常见于无线通信设备、广播发射机、工业控制系统、测试测量仪器等。在无线通信中,它可用于中继站、基站等设备中的信号放大电路;在广播领域,MRF313可用于调频(FM)和电视广播发射机的功率放大部分;在工业应用中,它可以用于驱动高频感应加热设备或激光系统中的射频发生器。此外,该晶体管也可用于实验和教学用途,作为射频放大电路的实验元件。
MRF314, MRF315, 2N5179