型号：BU2508D
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：30V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：17A
　　脉冲漏极电流Idm：70A
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：8.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：12mΩ
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1920pF（@Vds=15V）
　　输出电容Coss：680pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容Crss：80pF（@Vds=15V）
　　开启延迟时间td(on)：12ns
　　上升时间tr：25ns
　　关断延迟时间td(off)：30ns
　　下降时间tf：20ns
　　最大工作结温Tj：150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP-8 Power Package

BU2508D采用高性能沟槽结构MOSFET技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其在Vgs=10V时Rds(on)最大仅为8.5mΩ，而在更低驱动电压Vgs=4.5V条件下仍可保持12mΩ的低阻特性，这使得它非常适合用于同步整流、电池供电系统以及需要低压驱动逻辑兼容的应用场景。器件内部结构经过优化设计，具备优异的开关特性，包括快速的开启和关断响应时间，有效减少开关过程中的交越损耗，适用于高频开关电源设计（如DC-DC变换器、负载点电源POL等）。同时，其较低的栅极电荷Qg（典型值约30nC）进一步降低了驱动电路的功耗需求，提升了系统的整体效率。
　　该MOSFET采用SOP-8 Power封装，不仅实现了小型化，还通过裸露焊盘增强了散热能力，使芯片能够更有效地将热量传导至PCB，提升长期运行的可靠性。封装设计符合RoHS环保标准，并支持自动化贴片生产，适用于现代高密度SMT工艺。此外，BU2508D具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，避免因电压尖峰导致器件损坏，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）使其可在严苛环境条件下稳定运行，满足工业级应用要求。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不是专门的肖特基二极管，但在许多非严格要求快速恢复的场合已足够使用。该体二极管的存在也使得BU2508D可用于H桥或半桥拓扑中的续流路径。总体而言，BU2508D凭借其低Rds(on)、高速开关、良好热性能和高可靠性的综合优势，成为众多中等功率开关应用中的理想选择。

BU2508D广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）转换器，用于笔记本电脑、路由器、机顶盒等设备的电源管理模块。由于其低导通电阻和快速响应特性，特别适合用作同步整流器中的主开关管，以替代传统二极管，大幅提高转换效率。在便携式电子产品如移动电源、充电器和电池管理系统中，BU2508D可用于充放电控制回路，实现对电流方向和通断状态的精确控制。
　　在电机驱动领域，该器件常被用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，承担高低边开关功能，实现正反转和调速控制。其高电流承载能力和快速开关响应有助于提升驱动精度和动态性能。此外，BU2508D也可用于LED恒流驱动电路、热插拔控制器、负载开关以及各种过流保护电路中，作为主控开关元件。在工业控制系统中，例如PLC模块、传感器供电单元或继电器驱动电路，该MOSFET同样表现出良好的适应性。
　　得益于其SOP-8小型封装和表面贴装特性，BU2508D适用于空间受限但需较高功率密度的设计场景。其稳定的电气性能和宽温工作范围也使其可用于汽车电子外围设备、通信基站辅助电源等对可靠性有较高要求的环境。总之，BU2508D是一款通用性强、性价比高的功率MOSFET，适用于多种中低电压、中等电流的开关应用场合。

BU2506DS, BU2507FS, SiSS061DN-T1-GE3, FDS6680A, AOZ1282P