型号：BU2507FV-E2
　　制造商：ROHM
　　封装类型：HVSOF-7L
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：30V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　脉冲漏极电流(Idm)：56A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ @ Vgs=10V, Id=7A
　　导通电阻(Rds(on))：11mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：19nC @ Vgs=10V
　　输入电容(Ciss)：1020pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间(trr)：22ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　安装类型：表面贴装

BU2507FV-E2的核心特性在于其低导通电阻与优化的开关性能之间的良好折衷，这使其在中等功率密度的电源转换应用中表现优异。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。同时，该器件在4.5V的栅极驱动电压下仍能保持11mΩ的低导通电阻，说明其兼容于低压逻辑驱动电路，适用于由3.3V或5V控制器直接驱动的应用场景。这种特性使得BU2507FV-E2非常适合用于同步整流、负载开关以及电池供电系统的电源管理模块。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽型垂直结构设计，提高了载流子迁移率，从而增强了电流处理能力。其栅极电荷Qg仅为19nC（在Vgs=10V条件下），意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较小，能够有效降低驱动电路的负担并减少开关过程中的动态损耗。输入电容Ciss为1020pF，在同类产品中处于较低水平，有利于减缓dv/dt效应带来的误触发风险，提升系统稳定性。此外，器件具备较快的反向恢复时间trr（22ns），表明体二极管具有较好的反向恢复特性，减少了在桥式电路或续流路径中的能量损耗和电磁干扰问题。
　　HVSOF-7L封装不仅提供了优良的散热路径，还通过外露焊盘设计增强了热传导性能，使器件即使在高负载条件下也能维持较低的工作结温。该封装尺寸紧凑，节省PCB空间，特别适合高集成度电子产品的需求。器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了开启的一致性和可靠性，避免因阈值漂移导致的误动作。整体而言，BU2507FV-E2凭借其高性能参数、可靠的热管理和良好的工艺兼容性，成为现代高效电源设计中的优选功率开关元件。

BU2507FV-E2主要应用于各类中等功率的开关电源系统，包括AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器以及POL（Point-of-Load）电源模块。其低导通电阻和快速开关特性使其在同步整流拓扑中发挥重要作用，可显著提高转换效率并降低温升。在电池管理系统中，该器件常被用作充放电路径上的主控开关，实现对电流流向的精确控制和过流保护功能。此外，它也广泛用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端或高端开关使用，提供高效的能量传输和快速响应能力。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理单元中，BU2507FV-E2可用于背光驱动、显示屏电源切换以及多路电源选择开关等功能模块。其表面贴装封装形式便于SMT生产线作业，提升了产品组装的自动化程度和良率。工业控制领域中，该器件适用于PLC模块、传感器供电电路和继电器驱动接口等场景，能够在恶劣环境下稳定运行。由于其具备良好的抗噪声能力和较高的可靠性，也被用于通信设备的电源部分，例如路由器、交换机和基站模块中的隔离式电源设计。
　　此外，BU2507FV-E2还可用于LED照明驱动电源，尤其是在恒流源拓扑中作为主开关管或同步整流管使用，有助于提升灯具的整体能效和寿命。在便携式医疗设备、可穿戴设备和IoT终端中，该MOSFET因其小尺寸和低功耗优势而受到青睐，满足了这些设备对空间和续航的严苛要求。综合来看，BU2507FV-E2凭借其多方面的性能优势，已成为多种电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

[
　　 "BU2507FV-E2L",
　　 "RB050MAM-30",
　　 "DMG2307U",
　　 "AOZ1282CI",
　　 "Si2307DS"
　　]