类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：350A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（@VGS=10V）；4.2mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：4500pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：1500pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8 Power Package

BU2507DX的突出特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为3.3mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这对于高电流应用尤为重要，例如大功率DC-DC转换器或同步整流电路，能够在长时间运行中减少发热，提升系统可靠性。此外，该MOSFET在4.5V栅极驱动电压下仍能保持较低的RDS(on)（4.2mΩ），使其兼容于3.3V或5V逻辑驱动电路，适用于现代低电压控制环境。
　　该器件采用了优化的沟道设计和先进的封装技术，有效提升了热传导效率。SOP-8 Power Package封装不仅节省PCB空间，还通过暴露的散热焊盘将热量高效传递至PCB，增强了散热能力。这种设计使得BU2507DX在高负载条件下仍能维持较低的结温，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。
　　BU2507DX具备良好的开关特性，输入电容和输出电容经过优化，在高频开关应用中可减少驱动损耗和开关损耗。其较快的反向恢复时间（trr=25ns）有助于降低体二极管在续流过程中的能量损耗，特别适用于同步整流拓扑结构。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的保护，提高系统鲁棒性。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合绿色制造要求。其高可靠性和稳定的电气参数使其在严苛的工业和汽车电子环境中也能可靠运行。总体而言，BU2507DX是一款集低导通电阻、高电流能力、优良热性能和高频开关特性于一体的高性能N沟道MOSFET，适用于对效率和可靠性有较高要求的应用场景。

BU2507DX广泛应用于各类高效率电源管理系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），其中作为低侧或高侧开关使用，因其低RDS(on)和良好开关特性可显著提升转换效率。在DC-DC电源模块中，该器件常用于多相供电设计，支持大电流输出，满足高性能CPU、GPU或FPGA的供电需求。此外，它也适用于电机驱动电路，如无人机电调、电动工具或小型电动车的H桥驱动，能够快速响应控制信号并承受频繁的开关操作。
　　在消费类电子产品中，BU2507DX可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元（PMU），特别是在电池充放电管理和电压调节模块中发挥关键作用。其SOP-8封装便于表面贴装，适合高密度PCB布局，有利于小型化设计。在工业控制系统中，该MOSFET可用于PLC输出模块、继电器驱动或传感器电源开关，提供稳定可靠的功率控制。
　　此外，BU2507DX还可用于LED驱动电源、USB PD快充适配器、无线充电发射端等新兴应用领域。其快速开关能力和低损耗特性有助于实现更高的功率密度和更小的散热设计。由于具备良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件也可部署于通信基站电源、网络设备电源板等对可靠性要求较高的场合。总的来说，BU2507DX凭借其优异的电气性能和封装优势，适用于多种需要高效、紧凑、可靠功率开关的现代电子系统。

RJK03B9DPB
　　SiSS108DN
　　AOZ1282CP