时间：2025/5/23 11:46:06
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BU1924F是一款由ROHM公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23小型封装，广泛应用于便携式设备中的开关电路和负载驱动。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，非常适合用于空间受限的设计场景。
BU1924F的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在高效率应用中表现优异，同时其极小的封装形式使其成为移动电子设备的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：0.65A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值，在Vgs=4.5V时）
功耗：300mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
BU1924F采用了先进的工艺技术，确保了其具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少了功率损耗，提升了整体效率。
2. 快速开关性能，能够支持高频开关应用。
3. 小尺寸SOT-23封装，适合对PCB空间要求较高的设计。
4. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的要求。
BU1924F适用于各种需要高效开关的场景，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关控制。
2. 数字电路的电源管理。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
4. 电池供电产品的保护电路。
5. 各种小型化设计中的信号切换功能。
BU1924FSV
