时间：2025/4/28 13:31:27
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BU13TD3WG-GTR 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 UM-3P 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换和电机驱动应用。BU13TD3WG-GTR 在设计上优化了其电气性能，能够在高频工作条件下提供高效且可靠的性能表现。
该功率 MOSFET 主要针对消费电子、工业设备以及汽车应用中的电源管理需求而设计。由于其出色的效率和散热性能，这款器件在空间受限的应用中尤为适用。
型号：BU13TD3WG-GTR
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：28A
VGS（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：高达 1MHz
封装：UM-3P
结温范围：-55℃ 至 +175℃
BU13TD3WG-GTR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。
3. 提供优异的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
4. 强化的 ESD 防护能力，提高了器件在恶劣环境下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
6. 具备较低的栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss，从而提升开关效率。
7. 工作温度范围广，适应多种复杂的工作场景。
这些特性使 BU13TD3WG-GTR 成为需要高性能和高效率的电路设计的理想选择。
BU13TD3WG-GTR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，如降压或升压拓扑结构。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的功率级控制。
4. 各类电机驱动器，例如步进电机和无刷直流电机。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
6. LED 驱动器和固态照明方案。
7. 工业自动化设备中的功率控制模块。
凭借其卓越的性能，BU13TD3WG-GTR 在上述应用场景中可以有效降低功耗并提升系统的可靠性。
BU13TD3WG
