时间：2025/11/7 20:12:33
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BU12SD2MG-MTR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的专用电源管理IC，主要用于LED背光驱动或通用升压转换应用。该器件采用小型化封装，适用于空间受限的便携式电子设备。BU12SD2MG-MTR基于脉冲宽度调制（PWM）控制方式，能够高效地将输入电压升压至适合驱动多个串联LED的输出电压水平。该芯片集成了功率开关、反馈控制电路以及多种保护功能，如过流保护、过温保护和软启动机制，确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其设计目标是在低功耗、高效率的前提下提供精确的电流调节能力，从而实现均匀的LED亮度控制。由于采用了电流模式控制架构，该器件具有良好的瞬态响应特性，能够在负载变化时快速调整输出状态，维持稳定的输出性能。此外，BU12SD2MG-MTR支持模拟与PWM调光功能，使其适用于需要动态亮度调节的应用场景，例如智能手机、平板电脑、数码相机和其他带有LCD显示屏的消费类电子产品。
类型：升压型DC-DC控制器
输出类型：可调
最大输出电压：约36V
输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
最大输出电流：典型值1.2A（取决于外部元件）
开关频率：典型值1.2MHz
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：DFN10(2.5x2.5)
静态电流：约60μA
反馈参考电压：约0.8V
控制方式：电流模式PWM控制
集成开关：内置N沟道MOSFET
保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定（UVLO）
BU12SD2MG-MTR采用先进的电流模式PWM控制架构，具备出色的环路稳定性和快速的瞬态响应能力，能够在输入电压波动或负载突变的情况下迅速调节占空比，以维持恒定的输出电压或电流。其高频开关特性（典型1.2MHz）使得外部电感和电容可以选用小型贴片元件，显著减小整体解决方案的尺寸，非常适合高密度布局的移动终端产品。芯片内部集成了低导通电阻的功率MOSFET，降低了传导损耗，提高了整体转换效率，通常可在轻载至满载条件下实现超过90%的能效表现。
该器件支持宽范围输入电压（2.7V~5.5V），兼容单节锂电池供电系统，在电池放电过程中仍能保持稳定输出。通过外部电阻网络可灵活设定输出电压，并结合反馈引脚实现精准稳压。其内置软启动功能可有效抑制上电过程中的浪涌电流，避免对电源系统造成冲击。多重保护机制包括逐周期过流限制、自动恢复的过温关断以及欠压锁定功能，全面保障芯片和系统的安全运行。
在LED驱动应用中，BU12SD2MG-MTR可通过外部检测电阻实现恒流输出控制，确保每串LED获得一致的驱动电流，提升显示均匀性。同时支持模拟调光（通过调节反馈基准）和数字PWM调光（直接控制使能信号），满足不同亮度调节需求。其低静态电流设计也有助于延长电池续航时间，特别适合用于强调节能特性的便携设备。DFN小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能，便于散热管理。
广泛应用于便携式消费类电子产品中的LCD背光驱动，例如智能手机、平板电脑、电子书阅读器、数码相机和便携式导航设备等。也可用于需要升压电源的小型工业控制模块、传感器供电单元以及低功耗LED照明系统。此外，由于其高集成度和小尺寸特性，适用于各类空间受限但要求高效率电源转换的设计场景。
BD12SD2MUF-M
