CBW321609U800T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器以及光伏逆变器等场景。其独特的材料特性和设计结构使其具备出色的开关性能和低导通电阻,从而显著提高系统的效率并减小整体尺寸。
该芯片采用先进的封装工艺,支持高频率操作,并具有内置保护功能以增强可靠性。
型号:CBW321609U800T
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:9A
导通电阻:80mΩ(典型值)
栅极电荷:40nC(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
CBW321609U800T 的主要特性包括:
1. 使用氮化镓材料制造,提供卓越的高频性能和更低的开关损耗。
2. 极低的导通电阻降低了传导损耗,提升了整体系统效率。
3. 内置过流保护和热关断功能,确保在异常情况下芯片的安全运行。
4. 支持高达 2MHz 的开关频率,非常适合高频应用需求。
5. 小巧的封装形式有效节省了 PCB 空间,适合紧凑型设计。
6. 具有良好的散热性能,适用于高温环境下的长期稳定工作。
这款芯片可应用于以下领域:
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 数据中心服务器电源
3. 电动汽车充电设备
4. 太阳能微逆变器及优化器
5. 工业电机驱动控制
6. LED 驱动电源
7. 笔记本适配器和其他消费类电子产品的快速充电解决方案
CBW321609U650T, CFW321609U800T