时间：2025/7/23 21:46:50
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BU115是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流开关和功率控制应用。该器件由Rohm Semiconductor制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。BU115通常采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.085Ω（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
BU115的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，适用于高电流应用。
其60V的漏源耐压能力使其适用于中等功率的电源转换系统，如DC-DC转换器和电池管理系统。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4V至10V的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。
此外，BU115具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级应用。
TO-252封装提供了良好的散热性能，便于表面贴装和自动化生产。
由于其高可靠性和性价比，BU115广泛用于各种电源管理模块和负载开关电路中。
BU115主要应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
在电池管理系统中，BU115可用作高边或低边开关，实现高效的充放电控制。
此外，它也适用于电机驱动电路、LED照明驱动以及各种需要高电流开关能力的场合。
由于其良好的热稳定性和较高的工作温度范围，BU115也常用于工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制部分。
BU116, IRFZ44N, FDP6030L, FQP10N60
