BU08RA16 时间：2025/12/27 9:53:36 阅读：11

BU08RA16是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热稳定性等优点，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备等领域。BU08RA16的设计注重节能与小型化，适合对空间和能效有严格要求的现代电子系统。
　　该MOSFET封装于紧凑的表面贴装封装中（如SOP-8或类似小型化封装），有助于减少PCB占用面积，并通过优化引脚布局降低寄生电感和电阻，从而提升整体电路性能。其额定电压和电流参数适配多种中等功率应用场景，同时具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。此外，BU08RA16符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于消费类电子产品、工业控制模块及便携式设备中的开关电源和负载开关电路。

参数

型号：BU08RA16
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：470pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：24nC（@Vgs=10V）
　　最大功耗（Pd）：2.5W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）

特性

BU08RA16采用罗姆专有的沟槽结构工艺，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了电源转换效率。其在Vgs=10V时Rds(on)低至8mΩ，在4.5V驱动条件下仍可保持10mΩ的低阻状态，这使得它能够在低电压控制逻辑（如3.3V或5V微控制器直接驱动）下高效运行，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件具有出色的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少高频开关过程中的能量损耗和噪声干扰，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构，如同步整流降压变换器（Buck Converter）。其栅极电荷Qg仅为24nC，意味着驱动损耗较低，进一步提升了整体能效。
　　热性能方面，BU08RA16封装设计优化了散热路径，支持较高的功率密度操作。即使在有限的PCB散热条件下，也能维持稳定的工作温度。同时，器件具备良好的热关断保护能力，当结温接近极限时，可通过外部电路实现过温保护机制。
　　电气可靠性上，BU08RA16经过严格的生产测试，具备高抗雪崩能量能力，能够承受瞬态电压冲击而不损坏，适用于电机启停、继电器切换等易产生电压尖峰的应用场景。此外，其栅氧化层经过强化处理，可耐受±20V的栅源电压，增强了对误操作或静电放电的容忍度，提升了现场使用的鲁棒性。

应用

BU08RA16广泛用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电池管理系统（BMS）、移动电源、笔记本电脑和平板电脑的DC-DC电源模块。在这些应用中，其低Rds(on)和快速响应能力有助于延长电池续航时间并提高电源转换效率。
　　在工业领域，该MOSFET可用于电机驱动电路、电磁阀控制、LED驱动电源以及开关模式电源（SMPS）中的同步整流部分。由于其良好的热稳定性和负载切换能力，特别适合频繁启停或高动态负载变化的环境。
　　消费类电子产品如智能家居设备、无线充电器、USB PD快充适配器也常采用BU08RA16作为主开关或同步整流管。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，且兼容主流的回流焊工艺，有利于大批量制造。
　　此外，BU08RA16还可用于热插拔控制器、负载开关、OR-ing二极管替代电路等，利用其低导通损耗和快速关断特性，实现高效的电源路径管理和故障隔离功能。