时间：2025/4/30 17:38:23
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BU-61864G3-140 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等需要高效能和低导通电阻的场景中。
BU-61864G3-140 的设计特点是具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，从而优化了开关性能并降低了功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：9nC
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BU-61864G3-140 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗。
2. 高效的开关性能，得益于其较低的栅极电荷 (Qg) 和快速的开关速度。
3. 提供优异的热稳定性，在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子产品的严格要求。
5. 适合紧凑型设计，采用 TO-252 封装，便于表面贴装技术 (SMT) 加工。
BU-61864G3-140 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器，包括降压或升压拓扑结构。
3. 各类消费电子产品中的负载开关功能。
4. 电机驱动控制电路。
5. 工业设备及汽车电子中的低压功率管理模块。
BU-61864GWZ-140, BU-61864G3-E3
