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251R14S1R3AV4T 发布时间 时间:2025/7/12 7:53:15 查看 阅读:11

251R14S1R3AV4T 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于通信系统中的信号增强和传输。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益和高效率的表现,适用于无线通信、雷达和其他射频应用领域。
  这款放大器芯片集成了匹配网络和偏置电路,简化了设计过程并提高了系统的稳定性。其封装形式紧凑,适合空间受限的应用环境。

参数

型号:251R14S1R3AV4T
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  增益:19 dB
  输出功率(1 dB 压缩点):30 dBm
  效率:45 %
  电源电压:5 V
  静态电流:350 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40 ℃ 至 +85 ℃

特性

251R14S1R3AV4T 具备高线性度和低失真的特点,使其非常适合于现代通信系统中对信号质量要求较高的场景。它采用了内部匹配网络设计,减少了外部元件的需求,从而降低了整体成本并提升了可靠性。
  此外,该芯片支持自动偏置功能,确保在不同工作条件下都能保持稳定的性能表现。同时,它的热管理设计优异,能够有效散发挥发热量,延长器件使用寿命。
  为了满足不同的应用场景需求,251R14S1R3AV4T 提供了灵活的控制接口,便于用户根据实际需要进行配置和优化。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 无线基站的射频前端模块
  2. 移动终端设备中的信号放大
  3. 雷达系统中的发射机部分
  4. 卫星通信设备
  5. 工业物联网中的远距离数据传输设备
  由于其卓越的性能和可靠性,251R14S1R3AV4T 成为许多高端射频应用的理想选择。

替代型号

251R14S1R3BV4T
  251R14S1R3CV4T

251R14S1R3AV4T参数

  • 产品培训模块RF Capacitor Modeling Software
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列S
  • 电容1.3pF
  • 电压 - 额定250V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.89mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-