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BTS133TC 发布时间 时间:2025/5/8 19:41:42 查看 阅读:1

BTS133TC 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该器件采用 N 沟道增强型技术,能够提供高效率和低导通损耗的特点。其封装形式为 TO-263,具备出色的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:17A
  栅极阈值电压:4V
  导通电阻:0.018Ω
  功耗:29W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

BTS133TC 具有低导通电阻,从而降低了传导损耗并提高了系统效率。
  它支持快速开关操作,适用于高频应用场合。
  器件设计坚固耐用,能够在极端温度范围内稳定运行。
  TO-263 封装使其易于集成到各种工业和消费类电子设备中,并具有良好的散热性能。
  其高击穿电压和大电流能力确保了在严苛条件下也能正常工作。

应用

BTS133TC 广泛用于直流电机控制、开关电源转换器、逆变器模块、负载切换电路以及音频放大器等应用领域。
  其优异的性能使得它非常适合需要高效能和可靠性的工业与汽车环境中的电力传输和分配任务。
  此外,在家用电器和通信基础设施中也常见该元件的身影。

替代型号

BTS134G, IRFZ44N, STP17NF06L

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BTS133TC参数

  • 数据列表BTS133TC
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列HITFET®
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻40 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道7A
  • 电流 - 峰值输出65A
  • 电源电压2.2 V ~ 10 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000668256