H26M31003FPR 时间：2025/9/2 8:59:25 阅读：28

H26M31003FPR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。这款芯片通常用于需要高速数据存储和访问的应用场景，如消费电子、工业控制、网络设备和嵌入式系统。H26M31003FPR具备低功耗、高容量和稳定性能的特点，适用于对数据处理效率和存储能力有较高要求的设备。

参数

容量：256Mbit
　　组织方式：16M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　引脚数：54
　　工艺技术：CMOS

特性

H26M31003FPR 作为一款高性能的DRAM芯片，具备多项显著的技术特性。其256Mbit的存储容量可以满足大多数中高端嵌入式系统和网络设备的存储需求，16M x 16的组织方式使其在数据传输时具备较高的带宽利用率。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适用于多种电源管理系统，增强了其在不同应用场景下的兼容性和稳定性。
　　采用CMOS工艺制造，H26M31003FPR在保证高速运行的同时，也具备较低的功耗特性，非常适合对能耗有严格要求的便携式设备和工业控制系统。其TSOP封装形式不仅减小了整体封装尺寸，还提高了散热性能和电气性能，增强了在高密度PCB设计中的适用性。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于恶劣环境下的长期稳定运行。其5.4ns的访问时间和最高166MHz的工作频率，使得该芯片能够提供高速的数据存取能力，适用于需要快速响应和高吞吐量的应用场景，如图形处理、视频缓存和高速缓存等。

应用

H26M31003FPR 主要应用于需要高性能存储解决方案的设备和系统中。常见的应用领域包括：工业控制设备、通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统（如智能终端、POS机）、消费电子产品（如高清电视、游戏设备）以及各种需要高速缓存和数据存储的电子系统。其宽电压范围和工业级温度特性也使其非常适合在恶劣环境下运行的设备中使用，例如工业自动化设备、车载电子系统和安防监控设备等。