时间：2025/7/15 18:38:42
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BTD1664M3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛用于电源管理和功率开关应用，适用于需要高效、高电流处理能力的电子系统中。其采用先进的沟槽式技术，能够在低导通电阻和高耐压之间取得良好的平衡。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：7.5A（在Tc=25℃时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.8V至3.3V
导通电阻（Rds(on)）：最大为160mΩ（当Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：2W
封装形式：TO-220AB
BTD1664M3采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其具有较低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了能效。此外，它具备较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作性能。该器件还具有良好的抗雪崩击穿能力和较高的短路耐受性，适合应用于要求高可靠性的电路设计中。
这款MOSFET支持快速开关操作，有助于提高电源转换器的工作效率。同时，其封装形式（TO-220AB）便于散热，适用于需要良好热管理的应用场景。由于其优异的电气特性和机械结构，BTD1664M3在电源适配器、DC/DC转换器以及电池管理系统等领域得到了广泛应用。
BTD1664M3常用于以下应用场景：电源管理模块、DC/DC降压或升压转换器、电机驱动电路、负载开关控制以及电池充电管理设备。此外，它也可作为高效的功率开关用于各种消费类电子产品和工业控制系统中。
STD1664M3, BTS1664M3
