时间：2025/7/9 9:17:20
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BTB08-800TW是一种双通道、高频工作的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件采用TO-264封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使其成为高效功率管理的理想选择。
BTB08-800TW具有出色的热性能和电气性能，可承受较高的漏源电压，并且能够以较低的功耗实现大电流输出。此外，它还具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，从而减少了开关损耗并提升了整体效率。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.2Ω
栅极电荷：35nC
总电容：350pF
最大工作结温：175℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，适用于高压环境下的功率控制应用。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度，适合高频开关电路。
4. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下可靠运行。
5. TO-264封装形式，便于散热设计与安装。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 电机驱动中的H桥或半桥拓扑结构。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用中的功率调节。
6. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子电路。
STD08N80ME, IRFZ44N, FQP19N60
