类型：双向TVS二极管
　　封装：SOD-323
　　击穿电压(VBR)：最小7.37V，最大8.15V
　　工作峰值反向电压(VRWM)：6.6V
　　最大箝位电压(VC)：11.2V @ Ipp = 1A
　　峰值脉冲功率(Ppk)：300W
　　测试电流(It)：1mA
　　最大漏电流(IR)：5μA @ VRWM = 6.6V
　　引线温度：260°C（最短时间）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C

BT476KP66作为一款高性能的双向瞬态电压抑制二极管，具备出色的动态响应能力和稳定的电气特性。其核心优势在于低工作峰值反向电压（VRWM为6.6V），使其非常适合用于保护额定工作电压在5V至6V之间的信号线路，例如USB接口、音频输入/输出端口、微控制器I/O引脚等。当电路遭遇瞬态过压事件时，如人体模型静电放电（HBM ESD）或IEC 61000-4-2标准规定的±8kV接触放电，BT476KP66能够在皮秒级时间内迅速导通，将瞬态能量引导至地线，从而有效钳制电压上升幅度，避免后级集成电路受损。
　　该器件的击穿电压范围为7.37V至8.15V，在正常工作状态下呈现极高的阻抗状态，漏电流典型值低于5μA，确保不会对原电路的信号完整性产生影响。一旦电压超过击穿阈值，器件迅速进入雪崩击穿模式，提供低阻抗泄放通道，最大钳位电压被限制在11.2V以内（在1A脉冲电流下），显著低于大多数CMOS器件的绝对最大额定电压，提升了系统整体的抗扰能力。此外，其300W的峰值脉冲功率处理能力使其能够承受多次高强度瞬态冲击而不会发生性能退化或永久性损坏。
　　采用SOD-323封装不仅使BT476KP66拥有紧凑的外形尺寸（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能和机械强度。该封装支持自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，满足现代电子制造的高效与一致性要求。同时，器件内部结构经过优化设计，寄生电容较小，通常低于10pF，因此在高频信号线路中应用时不会引起明显的信号衰减或失真，适用于高速数据传输接口的保护。

BT476KP66常用于各类电子产品的瞬态过电压防护场景，尤其是在需要保护低压逻辑电路免受ESD和浪涌冲击的应用中表现优异。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的USB 2.0、HDMI、耳机插孔等接口保护；工业控制系统中传感器信号线、通信总线（如RS-232、RS-485）的防干扰设计；以及汽车电子中的低速数据链路保护。由于其双向特性，它也适用于交流耦合信号路径或双极性电源轨的瞬态抑制。在无线通信模块、Wi-Fi路由器、IoT终端设备中，BT476KP66可用于保护射频前端或基带处理器的敏感引脚。此外，在医疗电子设备、智能家居控制面板等人机交互频繁的场合，该器件能有效抵御操作过程中产生的静电放电风险，提高产品可靠性和用户体验。其小封装形式特别适合空间受限的设计，同时满足国际安全标准如IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4等对电磁兼容性（EMC）的要求。

SMBJ6.6A
　　SMCJ6.6A
　　P6KE6.8CA
　　TPSMA6.8A
　　ESD9X6.8V