时间：2025/8/1 16:25:05
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BT40T60ANFK是一种功率MOSFET，通常用于高功率应用中，例如电源、转换器和逆变器。该器件具有高耐压和大电流能力，适用于各种工业和汽车电子系统。BT40T60ANFK采用先进的制造工艺，确保了高效能和高可靠性。
类型: MOSFET
最大漏极电流: 40A
漏源电压: 600V
导通电阻: 0.27Ω
封装类型: TO-247
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
功率耗散: 150W
栅极电荷: 170nC
漏极电容: 150pF
BT40T60ANFK具有低导通电阻，这使得在高电流条件下能够保持较低的功耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于高压应用。其封装设计有助于有效的散热，保证了器件在高温环境下的稳定性。
这种MOSFET的栅极电荷较低，有助于快速开关操作，从而减少开关损耗。BT40T60ANFK的结构设计优化了热性能，提高了器件的可靠性，延长了使用寿命。同时，其较高的功率耗散能力使其能够处理较大的功率负载。
BT40T60ANFK常用于各种高功率电子设备中，如电源供应器、逆变器、电机驱动器以及工业控制系统。在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统和电动车辆的功率管理系统。此外，它也适用于需要高可靠性和高效率的电力电子应用。
STW40NK60Z, FDPF40N60FS
