类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.25Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3

BT0914AS3C107GA MOSFET 采用 Vishay 的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高能效。该器件的漏源电压（Vds）为 900V，使其适用于高压应用，例如高功率电源转换和工业控制。此外，其连续漏极电流为 4.4A，能够处理较大的负载电流，同时保持较低的功耗。该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。
　　器件的栅源电压范围为 ±30V，提供较大的栅极控制灵活性，同时确保在正常工作条件下不会发生栅极击穿。该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。TO-220 封装也便于安装散热片，进一步提高散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，BT0914AS3C107GA 的设计优化了开关性能，减少了开关损耗。这对于高频开关应用（如开关电源和 DC-DC 转换器）尤为重要，因为较低的开关损耗可以提高系统效率并减少发热。该器件还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度，减少驱动电路的负担。

BT0914AS3C107GA 主要应用于高压功率转换和管理领域。其高耐压能力和较低的导通电阻使其适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及电池管理系统。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关或同步整流器使用，以提高系统效率和可靠性。
　　该器件也常用于工业控制设备中的电机驱动和负载开关电路。由于其高耐压特性，BT0914AS3C107GA 也适用于高电压直流电机控制和工业自动化系统。此外，在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电控制和保护电路，以确保电池的安全运行。
　　在照明应用中，BT0914AS3C107GA 可用于 LED 驱动器和电子镇流器，提供高效且稳定的电源转换。其高开关速度和低开关损耗使其成为高频开关应用的理想选择。

SiHP09NQ100CG, STF9NM80N, FQA9N90C, IRF840, FDPF9N90