时间：2025/5/7 14:54:22
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BSZ900N15NS3G是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装，具有出色的开关特性和较低的导通电阻。适用于各种需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。
该MOSFET的最大漏源电压为150V，连续漏极电流可达9A（在特定条件下）。其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合用于电源转换、电机驱动、DC-DC转换器以及其他高压电路中的功率开关。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：0.18Ω
总功耗：164W
工作结温范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
1. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在过载条件下的鲁棒性。
2. 极低的导通电阻Rds(on)，减少了功率损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 优化的热阻设计，有助于提高散热性能。
6. 可靠的电气性能和严格的筛选工艺确保了长期使用的稳定性。
7. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压功能。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
7. 各类高压、大电流电路中的功率开关。
STP90NF15W
IRFZ44N
FDP9015N
IXFN90N15T2
