时间：2025/5/10 13:00:13
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BSZ16DN25NS3GATMA1是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，适合高频和高功率应用场合。
此MOSFET在设计上注重降低导通电阻以及优化开关性能，适用于多种电源管理场景，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等。此外，其具备的低栅极电荷特性有助于提高效率并减少开关损耗。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：16A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：48nC
总电容：2220pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
BSZ16DN25NS3GATMA1具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达250V的漏源电压。
2. 低导通电阻（Rds(on)），仅为70mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 低栅极电荷（Qg），为48nC，可实现快速开关，从而减少开关损耗。
4. TOLL封装，支持更高的功率密度与更佳的散热性能。
5. 宽工作温度范围（-55°C到175°C），适应各种极端环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该器件广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，在电动汽车和工业设备中用于电压调节。
3. 电机驱动控制，用于家用电器和工业自动化系统。
4. 太阳能逆变器，提升能源转换效率。
5. 各类负载开关和保护电路，确保系统稳定性和安全性。
BSZ120N25NS3GATMA1
