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PBLS2023D,115 发布时间 时间:2025/9/14 4:29:15 查看 阅读:6

PBLS2023D,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双通道、低电容、双向静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件专为高速数据线和敏感电子电路的过电压保护而设计,能够在恶劣的电磁环境中提供高可靠性保护。该器件采用 SOT23 封装,适用于便携式设备、通信接口、USB端口等多种应用。其主要功能是吸收瞬态高电压,防止因静电放电或感应雷击而造成的电路损坏。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  封装:SOT23
  通道数:2
  工作电压:最大反向工作电压(VRWM)= 5.0 V
  击穿电压(VBR):最小6.4 V(测试电流1 mA)
  钳位电压(VC):最大13.3 V(在IEC 61000-4-2 8kV测试条件下)
  响应时间:快速响应,典型值小于1 ns
  最大脉冲电流(IPP):16 A(8/20μs波形)
  电容值:典型值15 pF(频率1 MHz)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PBLS2023D,115 具备多项高性能特性,使其成为电子系统中理想的ESD保护元件。首先,其低电容特性(典型值15 pF)使其非常适合用于高速数据线路的保护,如USB 2.0、HDMI和以太网接口等,确保信号完整性不受影响。其次,该器件具有双向保护能力,可以有效应对正负极性ESD事件,增强了电路的可靠性。
  该器件具备较高的脉冲电流承受能力(最大16 A),可在IEC 61000-4-2标准下的8kV接触放电和15kV空气放电条件下提供有效保护。同时,其快速响应时间(小于1纳秒)确保了在发生ESD事件时能迅速动作,将电压钳制在安全水平,从而防止对后级电路造成损害。
  采用SOT23封装形式,PBLS2023D,115在PCB布局中占用空间小,适合高密度设计。其符合RoHS标准,无卤素,符合现代电子设备对环保的要求。此外,器件的反向工作电压为5V,适合用于5V逻辑电平系统的保护,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

应用

PBLS2023D,115 主要用于需要静电放电保护的电子设备和系统中。其典型应用包括USB端口保护、HDMI接口保护、以太网端口保护以及便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的高速数据线路保护。此外,该器件也适用于工业控制系统、通信模块和汽车信息娱乐系统的接口保护。
  由于其双向保护特性和低电容设计,该器件特别适合用于保护敏感的模拟和数字接口,防止因静电放电、感应雷击或其他瞬态电压事件造成的损坏。在汽车电子应用中,该器件可为车载娱乐系统、摄像头接口和车载诊断接口(OBD)提供可靠的ESD保护。
  该器件还可用于保护传感器接口、SD卡插槽、RS-232接口和CAN总线等应用。其小型封装和高性能特性使其成为现代电子设计中不可或缺的保护元件。

替代型号

PESD2V5S1BA,115; ESD5Z5.0V; NUP2105L; PBLS2023DLY

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PBLS2023D,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 PNP 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,1.8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V / 200 @ 1A,2V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA / 210mV @ 100mA,1.8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA,100nA
  • 频率 - 转换130MHz
  • 功率 - 最大760mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934061575115