时间：2025/7/18 20:13:50
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BSZ096N10LS5是一款由Infineon Technologies生产的高性能功率MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻（RDS(on)）、优化的栅极电荷和优异的热性能，使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等应用。BSZ096N10LS5采用先进的封装技术，具备良好的散热能力，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
漏极电流(Id)：96A
导通电阻(RDS(on))：最大值为5.6mΩ（在VGS=10V条件下）
栅极电荷(Qg)：典型值为82nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PG-HSOF-8
BSZ096N10LS5具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其极低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET的栅极电荷较低，使得在高频开关应用中能够显著降低开关损耗，从而提升系统的响应速度和稳定性。此外，该器件具有良好的热管理能力，其封装设计能够有效散热，确保在高电流和高功率密度环境下仍能保持可靠运行。BSZ096N10LS5还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛工作条件下的耐用性。这些特性共同确保了该器件在高性能功率转换和管理应用中的出色表现。
BSZ096N10LS5广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。常见的应用场景包括同步整流式DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、电源模块以及汽车电子系统。由于其出色的导通和开关性能，BSZ096N10LS5特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理解决方案。
BSC090N10NS5、BSC080N10NS5、IPB096N10N3 G
