PESD24VV1BAX是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的单向静电放电(ESD)保护二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件具有低电容和快速响应时间,适用于高速数据线路和通信接口的保护。
工作电压:24V
钳位电压:34V(在Ipp=1A时)
反向击穿电压:26.7V(最小值)
峰值脉冲电流(Ipp):1A
电容(在1MHz时):约50pF
封装类型:SOT23
工作温度范围:-55°C至+150°C
PESD24VV1BAX具有多项显著特性,使其在ESD保护领域表现出色。
首先,该器件采用了单向保护结构,能够在输入信号超过反向击穿电压时迅速导通,将多余的能量引导到地,从而有效保护后端电路。其反向击穿电压为26.7V(最小值),确保在正常工作电压下保持非导通状态,而一旦电压超过该阈值,器件立即进入钳位模式,将电压限制在安全范围内(最大34V)。这种设计使得PESD24VV1BAX适用于24V系统中的瞬态电压抑制。
其次,该器件具有低电容特性,典型值为50pF,这使其非常适合用于高速数据线路和通信端口的保护,不会对信号完整性造成明显影响。此外,PESD24VV1BAX的响应时间极快,通常在皮秒级,能够迅速响应并抑制ESD事件,防止高能瞬态电流对电路造成损害。
再者,PESD24VV1BAX采用SOT23封装形式,体积小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度,适用于各种工业和消费类电子应用。
最后,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于严苛环境下的电子系统,如汽车电子、工业控制和通信设备等。
PESD24VV1BAX广泛应用于需要ESD保护的各类电子系统中,尤其适合用于保护24V电源线路和信号线路。
常见应用包括工业自动化设备、PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)、通信模块、传感器接口、RS-485通信线路、CAN总线接口以及楼宇自动化系统等。由于其低电容特性,PESD24VV1BAX也适用于高速数据线路的保护,例如以太网接口、USB通信线路和串行通信端口等。在这些应用中,它可以有效防止静电放电、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击浪涌等瞬态电压事件对系统造成损害,提高设备的可靠性和稳定性。
PESD24VL1BA, PESD24V1BA, SMAJ24A, SMBJ24A